電子親和勢指的是半導體導帶底部到真空能級間的能量值,它表征材料在發生光電效應時,電子逸出材料的難易程度。
電子親和勢指的是半導體導帶底部到真空能級間的能量值,它表征材料在發生光電效應時,電子逸出材料的難易程度。
電子親和能又稱電子親和勢,是電子之間親和作用的能量。電子親和能是基態的氣態原子得到電子變為氣態陰離子所放出的能量。單位為kJ/mol(SI單位為J/mol)。...
電子親和勢指的是半導體導帶底部到真空能級間的能量值,它表征材料在發生光電效應時,電子逸出材料的難易程度。...
若表面勢壘降低到低於導帶底(成為負值),熱電子就很易逸出,這種情況稱為負電子親和勢發射。自釋電子發射物體表面受到機械作用、氣體放電作用、紫外光或 X射線照射...
光電子器件是光電子技術的關鍵和核心部件,是現代光電技術與微電子技術的前沿研究...3.2負電子親和勢光電陰極 60 3.2.1負電子親和勢光電陰極的原理 60 3.2....
近年來金剛石薄膜與類金剛石薄膜作為場致發射陰極的研究正在深入進行,這類材料具有負的電子親和勢,功函式為0.2~0.3eV,因此做場致發射陰極非常合適。一般金屬...
1、第二周期的p區元素N、O、F,單鍵鍵能甚至小於第三周期同族元素,第一電子親和能也小於第三周期同族元素,且容易形成氫鍵。2、第四周期As、Se、Br的高價化合...
其中直接引用原子核的形變和方位作為描寫集體運動的動力學變數,單粒子運動的勢場...2. 賈欣志著.負電子親和勢光電陰極及套用.北京:國防工業出版社,2013.05 :86...
美國又研製成三代管,採用NEA光電陰極(即Ⅲ~Ⅴ族光電陰極或負電子親和勢光電...裝在輕武器上能賦予它準確瞄準角並使平均彈道通過目標的裝置,稱之為輕武器瞄準...
半導體 電子親和能 4.07eV [1] 禁頻寬度 1.424eV@300K 相對介電常數 13.18 [2] 目錄 1 基本信息 2 安全信息 3 主要特性 4 材料優點 5 技術...
4.1.3電子親和勢4.1.4氣相酸度4.1.5結構對熱化學性質的影響4.2化學電離中的離子一分子反應4.2.1質子轉移反應4.2.2電荷交換反應4.2.3氫負離子轉移反應...
2.3.2原子的電子層結構與周期452.3.3原子的電子層結構與族452.4原子結構與元素性質462.4.1原子半徑462.4.2電離勢472.4.3電子親和勢49...
耦合簇計算加入了左本徵態三激發校正的CR-EOML激發能方法,以及EA-EOM或IP-EOM用於計算電子親和電離勢;PCM溶劑化計算可以使用異種介質,梯度可用於閉殼層MP2和閉...
9.5.2電離能1289.5.3電子親和能A1299.5.4電負性131習題131第10章分子結構13410.1共價鍵理論13410.1.1路易斯(Lewis)理論13410.1.2價鍵理論135...
四、原子結構和周期律32五、原子的電子層結構與元素的分區33第四節元素的性質與原子結構的關係33一、原子半徑33二、元素的電離能I34三、電子親和能EA35...
附錄三元素第一電離能479附錄四元素電子親和能479附錄五元素電負性480附錄六一些常見物質的熱力學函式480附錄七弱酸、弱鹼的解離常數488附錄八溶度積常數489...
1.3.2 電離能和電子親和能251.3.3 電負性261.3.4 元素的氧化數271.3.5 元素的金屬性和非金屬性28思考題29習題30第2章 化學鍵與物質結構32...
1163 電子親和能3141164 電負性315習題316附錄319附錄1 元素及化合物在標準狀態下的熱力學數據319附錄2 水合離子在標準狀態下的熱力學數據321...
3.3.2電離能和電子親和能0783.3.3電負性0803.3.4價電子和價電子層結構0813.4化學鍵0813.4.1離子鍵0813.4.2價鍵理論084...
11.4.2 電離能19111.4.3 電子親和能19211.4.4 電負性193思考題193習題195第12章 分子結構19712.1 離子鍵理論19712.1.1 離子鍵的形成197...