中文名稱 | 電子空穴複合 |
英文名稱 | recombination of electron and hole |
定 義 | 導帶中的電子落回價帶的空穴中的過程。 |
套用學科 | 材料科學技術(一級學科),材料科學技術基礎(二級學科),材料科學基礎(三級學科),材料物理及化學基礎(四級學科) |
中文名稱 | 電子空穴複合 |
英文名稱 | recombination of electron and hole |
定 義 | 導帶中的電子落回價帶的空穴中的過程。 |
套用學科 | 材料科學技術(一級學科),材料科學技術基礎(二級學科),材料科學基礎(三級學科),材料物理及化學基礎(四級學科) |
中文名稱 電子空穴複合 英文名稱 recombination of electron and hole 定義 導帶中的電子落回價帶的空穴中的過程。 套用學科 材料科學技術(一級學科),材料科學...
半導體中有兩種載流子:自由電子和空穴。在熱力學溫度零度和沒有外界能量激發時,價電子受共價鍵的束縛,晶體中不存在自由運動的電子,半導體是不能導電的。但是,當...
雜質和缺陷可以在禁帶中引入局部化的能級,這些能級,特別是離導帶底和價帶頂較深的能級,就好象台階一樣,對電子和空穴的複合起到中間站的作用,它們可以促進電子、...
半導體中的自由電子和空穴在運動中會有一定機率直接相遇而複合,使一對電子和空穴同時消失。從能帶角度講,就是導帶中的電子直接落入價帶與空穴複合,同時,還存在著...
根據能量守恆原則,電子和空穴複合時應釋放一定的能量,如果能量以光子的形式放出,這種複合稱為輻射複合(Radiative Recombination)。輻射複合可以是導帶電子與價帶的空穴...
俄歇複合是指俄歇躍遷相應的複合過程。俄歇效應是三粒子效應,在半導體中,電子與空穴複合時,把能量或者動量,通過碰撞轉移給另一個電子或者另一個空穴,造成該電子或者...
電子-內部結構模型圖空穴俘獲是一種光激勵發光現象。...... 當受到光激勵時(即讀出光,能量小於寫入光),陷阱中的載流子(電子和空穴)脫離陷阱而與發光中心複合發光。...
介紹 電子·空穴對( electron hole pair )當所用光子能量等於或大於帶隙E}的光照射半導體時,光子被吸收並將價帶中的電子激發到導帶中,在價帶中形成一空穴,即...
recombination又稱再結合。(一)由兩個增長游離基結合形成一飽和大分子而終止反應,稱為再結合。(二)半導體中電子受光作用從價帶激發到導帶,創造了電子-空穴對,該...
在固體物理學中,載流子的複合(英語:recombination)指半導體中的載流子(電子和空穴)成對消失的過程。這一過程在許多光電半導體材料中都會涉及。在一些具有PN結的器件,...
但這樣失去電子的原子又形成了空穴,這樣,這些空穴也跟自由電子一樣變成了一個“自由空穴”。[1] 複合電晶體種類 編輯 達林頓電晶體達林頓電晶體是由兩個n-p-n...
由於非平衡載流子的消亡主要是通過電子與空穴的相遇而成對消失的過程來完成的,所以往往就把非平衡載流子消亡的過程簡稱為載流子的複合。...
空穴又稱電洞(Electron hole),在固體物理學中指共價鍵上流失一個電子,最後在共價鍵上留下空位的現象。即共價鍵中的一些價電子由於熱運動獲得一些能量,從而擺脫共價...
電子遷移是直接帶空隙半導體中空穴的動量機制。由空穴產生的不可見光是半導體器件中動量的最明顯的例子。輻射複合的關鍵特性:電子與導帶中的空穴直接結合,釋放電子;...
載流子壽命是指在熱平衡條件下,電子不斷地由價帶激發到導帶,產生電子空穴對,與此同時,它們又不停地因複合而消失。平衡時,電子與空穴的產生率等於複合率,從而使...
釋詞:電流載體,稱載流子。在物理學中,載流子指可以自由移動的帶有電荷的物質微粒,如電子和離子。在半導體物理學中,電子流失導致共價鍵上留下的空位(空穴引)被視為...
在一定溫度下,電子- 空穴對的產生和複合同時存在並達到動態平衡,此時半導體具有一定的載流子密度,從而具有一定的電阻率。溫度升高時,將產生更多的電子- 空穴對,...
在半導體中,如果一個電子從滿的價帶激發到空的導帶上去,則在價帶內產生一個空穴,而在導帶內產生一個電子,從而形成一個電子-空穴對。空穴帶正電,電子帶負電,...
因為半導體異質結構能將電子與空穴局限在中間層內,電子與空穴的複合率因而增加,所以發光的效率較大;同時改變數子井的寬度亦可以控制發光的頻率,所以現今的半導體發光...
複合的逆過程就是電子-空穴對的產生,它可以看做是深能級先後發射一個電子和一個空穴。半導體物理學載流子輸運 半導體的輸運現象包括在電場、磁場、溫度差等作用下...
對n型半導體,其中非平衡少數載流子——空穴的壽命τ,也就是空穴的平均生存時間,1/τ就是單位時間內空穴的複合幾率,Δp/τ稱為非平衡空穴的複合率 (即n型半導體...
因PN結正偏時,由N區擴散到P區的電子,與外電源提供的空穴相複合,形成正向電流。剛擴散過來的電子就堆積在 P 區內緊靠PN結的附近,形成一定的多子濃度梯度分布曲線...
在一定溫度下,電子-空穴對的產生和複合同時存在並達到動態平衡,此時本徵半導體具有一定的載流子濃度,從而具有一定的電導率。加熱或光照會使半導體發生熱激發或光激發,...