《電子偶素能級精細結構的測量及QED理論的驗證》是依託中國科學技術大學，由韓榮典擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：電子偶素能級精細結構的測量及QED理論的驗證
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：韓榮典
- 依託單位：中國科學技術大學
- 支持經費：5（萬元）
- 研究期限：1992-01-01 至 1995-12-31
- 負責人職稱：教授
- 申請代碼：A30
- 批准號：19175044
中文摘要
1、直接從梯形近似下的相對論性B-S方程出發，計算電子偶素基態1（1）So和1（3）S1的波函式和能級，所得能級值在外推誤差範圍內與公認值一致，從而驗證了B-S方程對電磁相互作用的有效性。2、由上述1（1）So態波函式，分別用電磁形狀因子法和等時波函式法計算該態的均方半徑。其中後法結果與公認值相符，這就進一步證實了B-S方程適用於電磁相互作用，並揭示由波函式還可計算其它有意義的物理量。另外，還在慢正電子束流裝置上，採用都卜勒寬線形S參數法研究了LiF納米材料和有機膜材料，得到了若干有意義的結論，建立了可用於研究金屬-半導體材料的耗盡層模型，並編寫了該模型的最最佳化程式。
