雷射蒸鍍是利用雷射束作為熱源加熱蒸鍍的一種較新薄膜製備方法。用於雷射蒸發的光源可為C02雷射、如雷射、釹玻璃雷射、紅寶石雷射、YAG雷射以及準分子雷射等。目前通常採用的是在空間和時間上能量高度集中的脈衝雷射，以準分子雷射效果最好。
圖9-5雷射蒸發實驗裝置原理
1～玻璃衰減器2一透鏡3一光圈4一光電池5—分光器6一透鏡’卜基片&一探頭9一靶10一真空室ll一xecl雷射器
圖9-5為Xecl雷射蒸鍍示意圖。雷射器置於真空室之外，高能量的雷射束透過視窗進入真空室中，經透鏡聚焦之後照射到靶材上，使之加熱氣化蒸發並沉積在基片上。
雷射加熱法的特點是非接觸式加熱，避免了坩堝污染，宜製作高純膜層;能量密度高，可蒸發任何能吸收雷射光能的高熔點材料，且由於蒸發速度極高，製得的合金、化合物薄膜組成幾乎與原蒸發材料相同;易於控制，效率高，不會引起靶材帶電。但雷射蒸發過程中有顆粒噴濺，設備成本較貴，大面積沉積尚有困難。
雷射蒸鍍可製備各種金屬和高熔點材料，以及半導體、陶瓷等各種無機材料。
