零帶隙半導體(zero gap semiconductor)是1993年公布的電子學名詞。
基本介紹
- 中文名:零帶隙半導體
- 外文名:zero gap semiconductor
- 所屬學科:電子學
- 公布時間:1993年
零帶隙半導體(zero gap semiconductor)是1993年公布的電子學名詞。
零帶隙半導體(zero gap semiconductor)是1993年公布的電子學名詞。公布時間1993年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處《電子學名詞》第一版。1...
零帶隙半導體材料-石墨烯 石墨烯是一種由碳原子周期性排列而成的具有六角型蜂窩狀晶格結構的二維材料,是只有一個碳原子厚度的平面薄膜,石墨烯的發現為探索低維電子系統的輸運和相互作用,建立量子相干碳基納米電子器件,探測“帶電...
《帯隙可控的氮摻雜石墨烯的製備及電學性能研究》是依託電子科技大學,由李萍劍擔任醒目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 作為一種零帶隙的半導體,石墨烯不適合用於邏輯器件。石墨烯帶隙的打開與調控成為當前國際研究的熱點與難點。針對...
《石墨烯與半導體納米結構的耦合及光電性能研究》是依託東南大學,由倪振華擔任項目負責人的面上項目。中文摘要 基於石墨烯的光電器件被認為是未來極具潛力的套用方向。然而石墨烯的零帶隙能帶結構決定了其較低的光學吸收以及短暫的電子空穴...
石墨烯是一種零帶隙半導體材料,具有遠比矽高的載流子遷移率, 並且從理論上說,它的電子遷移率和空穴遷移率兩者相等,因此其n型場效應電晶體和p型場效應電晶體是對稱的。還有,因為其具有零禁帶特性,即使在室溫下載流子在石墨烯中的...
石墨烯是一種零帶隙半導體,具有一些奇異的電子特性,如為零的有效質量、極高的遷移率、高達幾十個meV的激子束縛能。此外研究表明,較低的無序可以增強電子的輸運。這樣,石墨烯中的激子-極化激元也將具有更小的有效質量、更高的遷移率...
《石墨烯的定域化學修飾研究》是謝芹為項目負責人,北京大學為依託單位的面上項目。科研成果 項目摘要 作為理想的二維原子晶體,石墨烯呈現出諸多新奇的物理特性。石墨烯屬於零帶隙半導體材料,在套用於類矽基導電溝道時打開帶隙是其套用的...
零能隙的半導體主要是單層石墨烯,這種電子結構會嚴重影響到氣體分子在其表面上的作用。單層石墨烯較體相石墨表面反應活性增強的功能是由石墨烯的氫化反應和氧化反應結果顯示出來的,說明石墨烯的電子結構可以調變其表面的活性。另外,石墨烯...
9、國家自然科學基金面上項目:哈斯勒自旋零帶隙半導體材料的磁性、輸運特性的電場調控研究;8、陝西省國際合作項目:電場調控Heusler合金薄膜的磁性及其物理機制研究;7、國家自然科學基金面上項目:一級相變La(Fe, Si)13/M(Cu,Ag)...
第三類超晶格涉及半金屬材料。儘管導帶底和價帶頂在相同的半導體層中產生,與第一類超晶格相似,但其帶隙可從半導體到零帶隙到半金屬負帶隙之間連續調整。超晶格又分以下幾種 1.組分超晶格:在超晶格結構中,如果超晶格的重複單元是由...
我們還研究了(1)自旋零帶隙半導體PbPdO2薄膜的生長機理和外加電場調控並在實驗上成功製備了不同擇優取向的薄膜樣品。(2)利用第一性原理研究方法系統研究了缺陷、替代、摻雜等對Ni/HfO2界面有效功函式的影響,並提出了多種有效的外場...
但單一二維材料在套用過程中卻往往出現一些難以避免的限制,主要存在以下幾點:(1)石墨烯的零帶隙不適用於半導體邏輯器件;(2)氮化硼超寬頻隙較難以套用於微納器件中;(3)由於傳統SiO₂基底表面粗糙度高,存在懸空鍵,以及表面的...
南京航空航天大學台國安教授團隊實驗報導了γ-B和 α′ 相硼烯在氫原子鈍化後,能夠打開其帶隙並具備半導體特性。這一結論也通過紫外-可見光(UV-Vis)吸收光譜和光致發光光譜(PL)得以驗證。3 套用領域 硼烯優異的物理化學性能使其...
本項目針對國際二維材料在半導體器件接觸電極研究中的熱點和難點,將石墨烯零帶隙金屬性與二硫化鉬寬頻隙的半導體性相結合,利用多孔納米結構的構築剪裁,得到接近零勢壘的歐姆接觸,並建立完善的接觸電極電荷輸運模型。重點研究基於合金選擇性...