雙摻雜固定技術，通過摻入兩種不同能級的金屬固定光折變全息圖的技術。在鈮酸鋰晶體中同時摻入鐵、錳等兩種深、淺不同能級的過渡金屬，在記錄前用紫外或藍光等短波長雷射敏化後，再用紅光等長波長的光進行全息記錄。記錄的全息圖不會被長波長的讀出雷射擦除，實現了全息圖的固定。
基本介紹
- 中文名：雙摻雜固定技術
- 定義：通過摻入兩種不同能級的金屬固定光折變全息圖的技術
雙摻雜固定技術，通過摻入兩種不同能級的金屬固定光折變全息圖的技術。在鈮酸鋰晶體中同時摻入鐵、錳等兩種深、淺不同能級的過渡金屬，在記錄前用紫外或藍光等短波長雷射敏化後，再用紅光等長波長的光進行全息記錄。記錄的全息圖不會被長波長的讀出雷射擦除，實現了全息圖的固定。
雙摻雜固定技術，通過摻入兩種不同能級的金屬固定光折變全息圖的技術。在鈮酸鋰晶體中同時摻入鐵、錳等兩種深、淺不同能級的過渡金屬，在記錄前用紫外或藍光等短波長雷射敏化後，再用紅光等長波長的光進行全息記錄。記錄的全息圖不會被長...
摻雜技術 摻雜技術(Doping Proces) 是將所需的雜質以定的方式摻入到半導體基片規定的區域內，井達到規定的數量和符合要求的分布，以達到改變材料電學性質、製造PN結、互連線的目的。在微機械加工中，通過摻雜技術來實現自停止蝕刻及構造薄膜層。摻雜的方法有擴散法、離子注 入法及合金法等。
半導體的常用摻雜技術主要有兩種，即高溫（熱）擴散和離子注入。摻入的雜質主要有兩類：第一類是提供載流子的受主雜質或施主雜質（如Si中的B、P、As）；第二類是產生複合中心的重金屬雜質（如Si中的Au）。熱擴散技術 (1)熱擴散技術：對於施主或受主雜質的摻入，就需要進行較高溫度的熱擴散。因為施主或受主雜質...
由於汽相摻雜技術對設備要求高，成本昂貴，我們採用了 MCVD 工藝加溶液摻雜法（即液相摻雜）這樣一條工藝路線來研製大模場面積摻鐿雙包層光纖。基本過程是：首先，利用 MCVD 工藝製作疏鬆的、未燒結的 預製棒，然後進行溶液摻雜的工藝過程，將預製棒浸入按比例配置好的稀土鹵化物水溶液中，保持一定的時間，溶液中的...
溝道摻雜技術是製造MOSFET時所採取的一種工藝技術，就是在柵極氧化膜形成之後，在溝道區域通過離子注入技術把少量的施主或受主雜質離子（濃度為1011~1012/cm2）注入進去，以用來調整器件閾值電壓的大小，這就稱為溝道摻雜；對於n-MOSFET，為了增大閾值電壓，需要摻入p型雜質，為了得到耗盡型MOSFET就需要摻入n型雜質。C...
《基於自組裝有機大分子的矽基半導體單原子摻雜技術》是依託上海交通大學，由官斌擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 大規模操縱單個摻雜原子，對解決深納米CMOS電晶體無序摻雜引起的開啟電壓漂移和探索新型單原子器件具有重要意義。但現有單原子操縱技術主要基於掃描遂穿顯微鏡，速度慢，成本高，無法滿足大規模...
《氧化鋅半導體材料摻雜技術與套用》是2009年浙江大學出版社出版的圖書，作者是葉志鎮。全書共分七章，系統介紹了氧化鋅的基本知識，重點介紹了氧化鋅半導體薄膜材料的摻雜技術、物理基礎及其套用，對氧化鋅納米材料的相關內容也有所涉及，敘述了氧化鋅研究和開發套用領域的新概念、新進展、新成果和新技術。內容簡介 本書...
但光路如果缺乏很好的隔離措施，在放大技術中應儘量避免反饋，故可以將二向色鏡傾斜放置並與光纖端面磨製的傾角平行。該技術需要對耦合系統進行精心的設計，設計時需要考慮到泵浦光的輸出孔徑、光斑的尺寸，摻雜光纖的內包層形狀、尺寸、數值孔徑等參數，使泵浦光能夠高效地耦合進入雙包層光纖的內包層。二向色鏡要求對...
現在大功率光纖雷射器、光纖放大器採用的雙包層摻雜光纖, 相對於從半導體泵浦雷射器發出的多模泵浦光束的大發散角,其內包層的直徑很小, 因此把泵浦光有效耦合到摻雜雙包層光纖的內包層是一個難題。人們發明了很多泵浦耦合技術, 大體上可分為端面泵浦和側面泵浦。端面泵浦技術是從雙包層光纖的一個或者兩個端面將...
摻雜（熱擴散或離子注入）化學機械平坦化CMP 使用單晶矽晶圓（或III-V族，如砷化鎵）用作基層，然後使用光刻、摻雜、CMP等技術製成MOSFET或BJT等組件，再利用薄膜和CMP技術製成導線，如此便完成晶片製作。因產品性能需求及成本考量，導線可分為鋁工藝（以濺鍍為主）和銅工藝（以電鍍為主參見Damascene）。主要的工藝...
光纖放大器技術就是在光纖的纖芯中摻入能產生雷射的稀土元素，通過雷射器提供的直流光激勵，使通過的光信號得到放大。傳統的光纖傳輸系統是採用光—電—光再生中繼器，這種中繼設備影響系統的穩定性和可靠性，為去掉上述轉換過程，直接在光路上對信號進行放大傳輸，就要用一個全光傳輸型中繼器來代替這種再生中繼器。適...
Stone 等採用磷摻雜矽納米線對單電子探測器進行了研究，具體製備過程為：首先用磷摻雜矽納米線製得了兩個單電子電晶體，其中納米線中的摻雜元素磷形成了導電島和MTJ，然後採用光刻與EB 技術將包含相互連線及成鍵區域的電路集中在SOI 晶片上，晶片包含三部分：中部為磷摻雜濃度1×1019cm–3、厚度40 nm 的矽納米線...
華南理工大學物理與光電學院是華南理工大學的二級學院。物理與光電學院的前身可追溯到1952年成立的大學物理教研室。1958年組建成工程物理系。1962年工程物理系、數學系、力學系合併為數理力學系，1969年調整為基礎部。1979年重建套用物理系。2004年改名為物理科學與技術學院。2008年物理科學與技術學院、數學科學學院合併為...
隨著微電子技術與工藝的不斷發展和創新，以計算機為代表的各類數字電子產品套用越來越廣泛，與此同時也面臨著更加複雜的電磁環境。CMOS 反相器是幾乎所有數字積體電路設計的核心，它具有較大的噪聲容限、極高的輸入電阻、極低的靜態功耗以及對噪聲和干擾不敏感等優點，因此廣泛套用於數字積體電路中。HPM可以通過縫隙、...
（2）由於經過溶液反應步驟，那么就很容易均勻定量地摻入一些微量元素，實現分子水平上的均勻摻雜。（3）與固相反應相比，化學反應將容易進行，而且僅需要較低的合成溫度，一般認為溶膠-凝膠體系中組分的擴散在納米範圍內，而固相反應時組分擴散是在微米範圍內，因此反應容易進行，溫度較低。（4）選擇合適的條件可以製備...
因入射輻射中只有垂直於超晶格生長面的電極化矢量起作用，光子利用率低；量子阱中基態電子濃度受摻雜限制，量子效率不高；回響光譜區窄；低溫要求苛刻。套用領域 檢測人體運動、非法入侵併報警。它的靈敏度高，誤報率低，外形小巧，美觀，安裝方便 由於紅外探測技術有其獨特的優點從而使其在軍事國防和民用領域得到了...
只是，因PMOS電路工藝簡單，價格便宜，有些中規模和小規模數字控制電路仍採用PMOS電路技術。MOSFET共有三個腳，一般為G、D、S，通過G、S間加控制信號時可以改變D、S間的導通和截止。PMOS和NMOS在結構上完全相像，所不同的是襯底和源漏的摻雜類型。簡單地說，NMOS是在P型矽的襯底上，通過選擇摻雜形成N型的摻雜區...
3.6.2 Variation of EF with Doping Concentration and Temperature EF 隨摻雜濃度和溫度的變化 3.6.3 Relevance of the Fermi Energy 費米能級的關聯性 Σ3.7 DEVICE FABRICATION TECHNOLOGY: DIFFUSION AND ION IMPLANTATION 器件製備技術：擴散和離子注入 3.7.1 Impurity Atom Diffusion 雜質原子...
不過，這種氨化技術意外地得到了新奇的富勒烯插入複合物的特別的性質：Mott-Hubbard轉變以及C分子的取向/軌道有序和磁結構的關係。C固體是由弱相互作用力組成的，因此是分子固體，並且保留了分子的性質。一個自由的C分子的分立能級在固體中只是很弱的彌散，導致固體中非重疊的帶間隙很窄，只有0.5eV。未摻雜的 C固體...
鎖模是光學裡一種用於產生極短時間雷射脈衝的技術，脈衝的長度通常在皮秒（10負十二次方秒）甚至飛秒（10負十五次方秒）。該技術的理論基礎是在雷射共振腔中的不同模式間引入固定的相位關係，這樣產生的雷射被稱為鎖相雷射或鎖模雷射。這些模式之間的干涉會使雷射產生一系列的脈衝。根據雷射的性質，這些脈衝可能會有...
5.1.1 包埋法固定酶 118 5.1.2 吸附法和共價交聯法固定酶 118 5.1.3 摻雜法固定酶 119 5.2 基於直接電催化的導電聚合物電化學生物感測器 120 5.2.1 膽固醇的測定 120 5.2.2 過氧化氫的測定 121 5.2.3 抗壞血酸(維生素C)的測定 123 5.3 導電聚苯胺電化學生物感測器 124 5.3.1 聚苯胺-...
多模光纖合束器將多根光纖組成的光纖束逐漸收縮為單根與雙包層光纖尺寸相匹配的多模光纖，再與雙包層光纖連線。這種技術適用於多個帶尾纖的大功率二極體同時泵浦。而且可以將光纖束中心的一根多模光纖替換為適於信號光傳輸的單模光纖與雙包層光纖纖芯熔接，這樣泵光可以從多模光纖耦合到摻雜光纖內包層中，而信號光可以...
1. 矽基介孔材料孔徑分布狹窄，孔道結構規則，並且技術成熟，研究頗多。矽系材料可用於催化，分離提純，藥物包埋緩釋，氣體感測等領域。矽基材料又可根據純矽和摻雜其他元素而分為兩類。進而可根據摻雜元素種類及不同的元素個數不同進行細化分類。雜原子的摻雜可以看作是雜原子取代了原來矽原子的位置，不同雜原子的...
2018年6月27日，中國石墨烯產業技術創新戰略聯盟發布新制訂的團體標準《含有石墨烯材料的產品命名指南》。這項標準規定了石墨烯材料相關新產品的命名方法。2023年4月，英國曼徹斯特大學研究人員報告了在環境條件下石墨烯中出現的創紀錄的高磁阻：其在標準永磁體（約1000高斯，或1特斯拉）的磁場中磁阻率達到了100%以上。
冷接是以非熔接的機械方式，通過光耦合實現光纖或光纜固定接續，這種物理接續技術主要是靠V型槽和匹配液實現，其成本低、安裝速度快。採用冷接的出發點是用光纖機械接續取代熔接機，用光纖插頭的現場製作取代工廠製作的定長尾纖/跳線，以提高裝維效率。在用戶端套用的冷接產品有預置型現場組裝光纖活動連線器、直通型...
CMOS是Complementary Metal Oxide Semiconductor（互補金屬氧化物半導體）的縮寫。它是指製造大規模積體電路晶片用的一種技術或用這種技術製造出來的晶片，是電腦主機板上的一塊可讀寫的RAM晶片。因為可讀寫的特性，所以在電腦主機板上用來保存BIOS設定完電腦硬體參數後的數據，這個晶片僅僅是用來存放數據的。電壓控制的一种放大...
在層狀黑磷結構中的聲子、光子和電子表現出高度的各向異性，在電子薄膜和紅外線光電子技術上有重大潛在套用價值。在黑磷中光吸收對光偏振、薄膜厚度和摻雜十分敏感。黑磷光電電晶體也表現出在紅外和可見光中的高光譜檢測。黑磷與石墨的相似之處還包括可剝離的可能性，形成亞磷，一種具有優良電子轉移性能的類石墨材料，...
為使液晶能在顯示器中的套用，透明電極的圖形化以及液晶與半導體電路一體化的微細加工技術必不可缺。隨著半導體工業的進步，這些技術已趨向成熟。20世紀40年代開發出矽半導體，利用傳導電子的n型半導體和傳導電洞的p型半導體構成pn介面，發明了二極體和電晶體。在此之前，在電路中為實現從交流到直流的整流功能，要採用...