雙基極二極體雙基極二極體是具有兩個基極和一個發射極的三端負阻半導體器件。它只有一個PN結， 所以又稱為單結電晶體，它共有3隻引腳，分別是發射極E、第一基極B1和第二基極B2。
雙基極二極體主要套用於各種張馳震盪器， 定時電壓讀出電路，具有頻率易調，溫度特性好的優點。
基本介紹
- 中文名：雙基極二極體
- 外文名：double base diodeunijunction transistor
- 特點：單嚮導電
- 所屬：電機工程
- 另稱：單結電晶體
- 優點：頻率易調、溫度特性好
結構,性能參數,選用與檢測,特性曲線,
結構
雙基極二極體結構雙基極二極體的製作過程：在一塊高電阻率的N型半導體基片的兩端各引出一個鋁電極，如圖4—9c所示，分別稱為第一基極B1和第二基極B2，然後在N型半導體基片一側埋入P型半導體，在兩種半導體的結合部位就形成了一個PN結，再在P型半導體端引出一個電極，稱為發射極E。
雙基極二極體的等效電路如圖4—9d所示。雙基極二極體B1、B2極之間為高電阻率的N型半導體，故兩極之間的電阻RBB較大(約4—12千歐)，以PN結為中心，將N型半導體分為兩部分，PN結與B1極之間的電阻用RB1表示，PN結與B2極之間的電阻用RB2表示，RBB=RB1+RB2，E極與N型半導體之間的PN結可等效為一個二極體，用VD表示。
性能參數
雙基極二極體的參數有多個，主要參數分壓比、峰點電壓與電流、谷點電壓與電流、調製 極二極體的命各方法電流和耗散功率為例講解。
（1）分壓比。分壓比h是指雙基極二極體發射極E至第一基極B1間的電壓（不包括PN結管壓降）占兩基極問電壓的比例，是雙基極二極體很重要的參數，一般在0.3~0.9，是由管子內部結構所決定的常數。
（2）峰點電壓與電流。峰點電壓是指雙基極二極體剛開始導通時的發射椒E與第一基極B1間的電壓，其所對應的發射極電流叫作峰點電流。
（3）谷點電壓與電流。谷點電壓是指雙基極二極體由負阻區開始進入飽和區時的發射極E與第一基極B1間的電壓，其所對應的發射極電流叫作谷點電流。
（4）調製電流。調製電流是指發射極處於飽和狀態時，從雙基極二極體第二基極B2流過的電流。
（5）耗散功率。耗散功率是指雙基極二極體第二基極的最大耗散功率。這是一項極限參數，使用中雙基極二極體實際功耗應小於P瞠M並留有一定餘量，以防損壞。
選用與檢測
(1)檢測兩基極間電阻。
萬用表置於“R×1k”擋，兩表筆(不分正、負)接雙基極二極體除發射極E以外的兩個引腳，讀數應為3-10千歐。
(2)檢測PN結。
1)檢測PN結正向電阻時(以N型基極管為例，下同)，黑表筆(表內電池正極)接發射極E，紅表筆分別接兩個基極，讀數均應為幾千歐。
2)檢測PN結反向電阻時。紅表筆接發射極E，黑表筆分別接兩個基極，讀數均應為無窮大。如果測量結果與上述不符，則說明被測雙基極二極體已損壞。
(3)測量雙基極二極體的分壓比。組裝測量雙基極二極體分壓比η的電路，用萬能表“直流10V”擋測出C2上的電壓UC2，再代人公式即可計算出該雙基極二極體的分壓比。
特性曲線
雙基極二極體的特性曲線如圖所示。
特性曲線
特性曲線發射極電壓UE大於峰值電壓UP是雙基極二極體導通的必要條件。UP不是一個常數，而是取決於分壓比η和UBB的大小，即UP=ηUBB+0.7V。由於UP和UBB呈線性關係，所以可以得到穩定的觸發電壓，又因峰點的電流很小，所以需要的觸發電流也很小。
谷點電壓Uv是維持單結電晶體處於導通狀態的最小電壓。不同的雙基極二極體的谷點電壓也不同，一般為2～5V。當UE=Uv時，雙基極二極體進入截止狀態。
由於雙基極二極體是一個負阻器件，每一個電流值都會對應一個確定的電壓值，但每一個電壓值則可能有不同的電流值。根據這一點，可在維持電壓不變的情況下，使電流產生躍變，就可以獲得較大的脈衝電流。
