《雙合成反鐵磁薄膜結構及其對自旋閥性能的影響》是依託北京科技大學,由徐曉光擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名:雙合成反鐵磁薄膜結構及其對自旋閥性能的影響
- 依託單位:北京科技大學
- 項目負責人:徐曉光
- 項目類別:面上項目
《雙合成反鐵磁薄膜結構及其對自旋閥性能的影響》是依託北京科技大學,由徐曉光擔任項目負責人的面上項目。
《雙合成反鐵磁薄膜結構及其對自旋閥性能的影響》是依託北京科技大學,由徐曉光擔任項目負責人的面上項目。項目摘要合成反鐵磁薄膜在磁性存儲元件中的套用可以提高元件的磁性能,但合成反鐵磁薄膜的飽和磁化場、矯頑力、飽和磁化強度及其...
合成反鐵磁結構對自旋閥巨磁電阻效應的影響 用直流磁控濺射方法製備了雙合成反鐵磁結構CoFe(5 nm)/Ru(xnm)/CoFe(3 nm)/Ru(ynm)/CoFe(5nm)(x=0·45,0·45,1·00;y=0·45,1·00,1·00)的系列樣品,並對樣品的性能...
巨磁阻是一種量子力學效應,它產生於層狀的磁性薄膜結構。這種結構是由鐵磁材料和非鐵磁材料薄層交替疊合而成。當鐵磁層的磁矩相互平行時,載流子與自旋有關的散射最小,材料有最小的電阻。當鐵磁層的磁矩為反平行時,與自旋有關的...
研究自旋閥結構中鐵磁/反鐵磁交換偏置場、界面微結構、薄膜厚度、反鐵磁材料等對反鐵磁薄膜翻轉閾值電流的影響,探尋減小閾值電流密度的可行方法;最後,研究反鐵磁薄膜中自旋轉移現象對現有自旋電子器件的影響,提出基於其的新型自旋電子...
目前,自旋閥結構的讀出磁頭已成為磁頭的主流。此後自旋閥型GMR隨機存儲器及磁感測器等採用自旋閥結構的電子產品相繼問世,對電子工業及材料工業產生廣泛而深遠的影響。結構 研究發現,在磁性多層膜中出現GMR效應必須滿足兩個關鍵條件:①相鄰...
自旋閥結構磁性多層膜在磁感測器件、高密度磁存儲、高頻自旋電子學器件等領域有著廣泛的套用前景。然而當前對自旋閥性能的調控通常是通過改變其結構或者材料來完成。對此,本項目擬設計一種以重金屬為中間層的自旋閥結構,通過在中間層施加...
首先通過材料設計手段,選擇出合適的薄膜成分和結構;進一步實驗研究磁疇結構、界面行為等等因素對垂直磁各向異性薄膜電和磁性能的影響;建立起這種薄膜材料性能和其電子結構之間的關係,進而製備出高性能的薄膜。利用這種薄膜作為自由層,製備...