陳金菊(電子科技大學副教授)

陳金菊，女，電子科技大學副教授，1977年生，工學博士。近5年來，先後承擔並完成國家自然科學基金項目兩項，國防預研基金一項，承擔廣東省產學研項目一項；主研國家自然科學基金項目、四川省科技支撐計畫項目、成都市科技基金項目及多項橫向合作項目。已在《Journal of Electroanalytical Chemistry》、《Jounrnal of Materials Science》、《Science in ChinaSer. E》、《Materials letters》、《Journal of vacuum science and technology A》、《Materials Science andEngineering B》、《功能材料》等國內外期刊上發表論文40餘篇，其中被SCI檢索10餘篇，被EI收錄30餘篇。獲得國家發明專利授權10項，其中有6項已實現專利技術轉讓，轉讓金額總計420萬元。獲得四川省科技進步二等獎1項。

目前主要研究方向為全印製電子技術、新型儲能系統材料、結構與器件。

基本介紹

• 中文名：陳金菊
• 國籍：中國
• 民族：漢族
• 出生日期：1977年01月
• 職業：教師
• 畢業院校：四川大學
• 學位/學歷：工學博士
• 專業方向：全印製電子技術、新型儲能系統材料、結構與器件
• 職務：電子科技大學副教授
• 主要成就：四川省科技進步二等獎1項

人物信息

導師姓名：陳金菊
性別：女
出生年月：1977年01月
職稱：副教授
學位：博士
屬性：專職

學術經歷

2000年7月於四川大學獲得工學學士學位，2006年3月於電子科技大學獲得工學博士學位；2006年4月至今，電子科技大學微電子與固體電子學院任教。

研究領域

儲能材料與元器件、全印製電子技術、半導體光電材料與器件。作為項目負責人承擔並完成國家自然科學基金一項，承擔國防預研基金一項，承擔廣東省產學研項目一項；主研國家自然科學基金項目、四川省科技支撐計畫項目、成都市科技基金項目及多項橫向合作項目。近年來在“Journal of Electroanalytical Chemistry”、“Jounrnal of Materials Science”、“Science in China Ser. E”、“Materials letters”、“Journal of vacuum science and technology A”等國內外期刊上發表學術論文30餘篇；獲得中國發明專利授權6項，並實現3項專利技術轉讓；獲得四川省科技進步二等獎一項。承擔本科課程“半導體光電器件”的教學工作。

近年，在國內外期刊上發表論文總計40餘篇，其中被SCI檢索10餘篇，被EI收錄30餘篇。獲得國家發明專利授權10餘項，其中有6項已實現專利技術轉讓，轉讓金額總計420萬元。

學術成果

1、代表性論文

[1] Jinju Chen*, Xueran Deng, Hong Deng. Progress in the growth and characterization of nonpolar ZnO films. J.Mater. Sci. 2013, 48: 532-542

[2] Jinju Chen*, Hong Deng, Ning Li, Yanlei Tian, Hong Ji. Realization of nonpolar a-plane ZnO films on r- plane sapphire substrates using a simple single-source chemical vapor deposition. Mater. Lett. 2011, 65(4): 716-718

[3] Jinju Chen*, Hong Deng, Hong Ji, Yanlei Tian. Effect of substrate microstructure on the misorientation of a- plane ZnO film investigated using x-ray diffraction. J. Vac. Sci. Technol. A 2011, 29(3): 03A116-1-03A116-4

[4] Jinju Chen*, Hong Deng, Min Wei. Hydrothermal synthesis and optical properties of ZnO single-crystal hexagonal microtubes. Mater. Sci. Eng. B-Adv. 2009, 163:157-160

[5] Hong Deng, Jinju Chen*, Min Wei. Controllable growth of zinc oxide single-crystal hexagonal microtubes by hydrothermal synthesis. 2010 3rd International Nanoelectronics Conference, INEC 2010, 931-932

[6] Jinju Chen*, Bangchao Yang, Zhesheng Feng. The effect of anodizing voltage on the electrical properties of Al-Ti composite oxide film. J. Electroanal. Chem. 2006, 590(5): 26-31

[7] Jinju Chen*, Bangchao Yang, Zhesheng Feng. Al2O3-TiO2 composite oxide films on etched aluminum foil by hydrolysis precipitation and anodizing. J. Mater. Sci., 2006, 41(2): 569-571

[8] Jinju Chen*, Bangchao Yang, Meilian Jiang, Zhesheng Feng. The effect of anodizing temperature on the structure and electrical properties of Al-Ti composite oxide film. Sci. China Ser. E. 2005, 48(6): 612-621

[9] Jinju Chen*, Zhesheng Feng, Bangchao Yang. Influence of silicon ion implantation on the dielectric properties of Al-Ti composite oxide film. The 208th meeting of the electrochemistry society, MA 2005- 02:1444

[10] Jinju Chen*, Zhesheng Feng, Honglei Guo, Bangchao Yang. Research and development of chemically increasing dielectric constant of anodic oxide film on aluminum. J. Funct. Mater. 2005, 36(12): 1977-1980

2、申請或已授權部分專利

[1] 陳金菊*, 程偉, 趙煥芬, 馮哲聖, 楊修宇. 基於鎳催化和化學鍍銅的印製電路加成製備方法. 中國發明專利,申請號: 201310 447230.8

[2] 馮哲聖, 陳金菊*. 一種高耐壓鋁電極箔的製備方法. 中國發明專利, 專利號: ZL200810147975.1, 2010/11/17

[3] 鄧宏, 陳金菊*, 韋敏, 李國偉. 一種（200）擇優取向硫化鉛薄膜的製備方法. 中國發明專利,專利號:ZL200910167920.1, 2009/10/16

[4] 馮哲聖, 程偉, 陳金菊*, 李金彪, 楊超. 基於銅自催化和化學鍍銅的印製電路加成製備方法.中國發明專利,申請號:2013104 46934.3, 2013/9/27

[5] 馮哲聖, 趙寧, 陳金菊*, 金雄. 一種印製電路圖形化用溶液型金屬墨水及其製備方法. 中國發明專利,專利號: ZL20111024 0214.2, 2013/11/27

[6] 馮哲聖, 王焱, 陳金菊*, 張川, 林榮新. 一種表面碳包覆的鋰電池用磷酸鐵鋰正極材料的製備方法. 中國發明專利,專利號: ZL201110314514.0, 2013/09/11

[7] 馮哲聖, 張川, 陳金菊*, 王焱. 一種基於二價鐵離子還原的石墨烯製備方法. 中國發明專利,專利號:ZL201210190619.4, 2013/09/11

[8] 馮哲聖, 張寧, 陳金菊*, 張睿. 一種預複合高介電常數複合介質膜鋁電極箔的製備方法. 中國發明專利,專利號: ZL201110 227433.7, 2013/5/23

[9] 馮哲聖, 張睿, 陳金菊*, 張川. 一種多孔電極材料組織形貌表征方法. 中國發明專利,專利號:ZL201110341358.7, 2013/04/03

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03方向：電子材料及器件
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陳金菊，女，副教授，1977年生，工學博士。近5年來，先後承擔並完成國家自然科學基金項目兩項，國防預研基金一

項，承擔廣東省產學研項目一項；主研國家自然科學基金項目、四川省科技支撐計畫項目、成都市科技基金項目及多項橫向

合作項目。已在《Journal of Electroanalytical Chemistry》、《Jounrnal of Materials Science》、《Science in China

Ser. E》、《Materials letters》、《Journal of vacuum science and technology A》、《Materials Science and

Engineering B》、《功能材料》等國內外期刊上發表論文40餘篇，其中被SCI檢索10餘篇，被EI收錄30餘篇。獲得國家發明

專利授權10項，其中有6項已實現專利技術轉讓，轉讓金額總計420萬元。獲得四川省科技進步二等獎1項。

目前主要研究方向為全印製電子技術、新型儲能系統材料、結構與器件。

電子科技大學全印製電子技術及電能源材料研究室隸屬於電子薄膜與集成器件國家重點實驗室，是為適應當前電子信息

產業和電能源材料發展趨勢而建立起來的專業化研究室。研究室科研實力雄厚，研究課題深入結合我國電子信息產業發展方

向，緊密追蹤電子信息製造業綠色、高效、集約化變革的理論基礎和套用高地，著力發展全印製電子技術及電能源材料等前

沿方向，產生了一批具有自主智慧財產權的成果。

研究室擁有一支思維活躍、知識結構合理、工程實踐能力強的科研隊伍。目前研究室有正、副教授2名，在讀博、碩士研

究生16名，研究領域主要包括高精度圖形化導電線路製備技術、全印製電子功能器件製備技術、鋰動力電池關鍵材料及機

理、高性能濕敏材料及器件等。

1、研究方向

1.1 全印製電子技術

（1）剛、饒基全印製導電圖形製備技術

（2）全印製NFC及RFID

（3）2L-FCCL及電磁禁止膜

（4）全印製磁電元件賤金屬電極

（5）全印製生物感測器

1.2 納米儲能結構及納米感測器

（1）新型納米儲能結構

（2）陣列化氧化鋁納米線及濕度感測器

1.3 動力鋰電池材料

（1）鋰動力電池正極材料

（2）套用於鋰電池的石墨烯製備方法

1.4 高比容鋁電極箔製造技術

（1）高比容複合介質陽極鋁箔

（2）片式鋁電解電容器專用陽極箔

2、最新成果展示

2.1全印製電子技術

（1）全印製磁電元件賤金屬電極

基於溶液型前驅油墨，在BST及PZT陶瓷基上開發出了陶瓷基賤金屬電極全印刷製備技術，該電極無貴金屬、免高溫

燒結，電學性能及力學性能滿足套用要求，電極製造成本大幅度下降。

（2）全印製陶瓷基金屬布線

通過全印製方法實現了大功率LED陶瓷基板銀、銅布線及大功率積體電路陶瓷基板銀、銅布線，達到工業化產品套用

要求。

（3）柔性基板上圖形化導電線路的全印製

解決了金屬薄膜在有機基板上低溫製備過程中的界面設計問題，開發出超薄雙面2L-FCCL，所制覆銅板表面均勻且呈

現鏡面級光亮、折彎性能優異。

開展了數字圖形轉移技術研究，實現了高精細度導電線路全印製布線，導線具有良好的可焊性、膜/基結合力。所制

備的柔性基導電線路完全能夠實現電路功能（信號控制與功率驅動），實驗LED柔性驅動電路已穩定工作三年。

通過最佳化製備工藝，開發出全印製NFC天線及RFID，已實現13.56MHz數據無線傳輸。

2.2動力鋰電池材料

（1）鋰動力電池正極材料LiFePO4的改性研究

理論與實驗研究了多重金屬離子摻雜、缺陷控制及設計、石墨烯複合等多種LiFePO4改性技術，展現出良好的套用

前景。

（2）套用於鋰電池材料的石墨烯製備方法研究

基於石墨化學氧化/還原法，開發出了綠色、高效的氧化石墨烯還原技術，實現了可批量套用於鋰動力電池的石墨烯

製備方法。

2.3納米儲能結構及納米感測器

（1）新型納米結構儲能系統

基於PAAO製備技術，採用ALD沉積方法在AAO模孔內實現了MIM結構製備，獲得了兼具高功率密度與高能量密度

的納米儲能結構。

（2）陣列化氧化鋁納米線及濕度感測器

採用AAO化學刻蝕法製備了陣列化ANWs（氧化鋁納米線），並基於ANWs設計並實現了一種低濕滯、高回響速

度、全濕度的濕度感測器。

2.4高比容鋁電極製造技術

在國內率先提出通過高介納米複合介質膜製備技術，大幅度提高國產鋁電極箔比容水平。在國內率先實現了可與工

業腐蝕線、化成線聯動實施的Al/Ti、Al/Si、Al/Ta、Al/Nb高介複合工藝，專利技術獲2006年、2009年江蘇省高新產品

稱號。

近年，在國內外期刊上發表論文總計40餘篇，其中被SCI檢索10餘篇，被EI收錄30餘篇。獲得國家發明專利授權10

餘項，其中有6項已實現專利技術轉讓，轉讓金額總計420萬元。

1、代表性論文

[1] Jinju Chen*, Xueran Deng, Hong Deng. Progress in the growth and characterization of nonpolar ZnO films. J.Mater. Sci. 2013, 48: 532-542

[2] Jinju Chen*, Hong Deng, Ning Li, Yanlei Tian, Hong Ji. Realization of nonpolar a-plane ZnO films on r- plane sapphire substrates using a simple single-source chemical vapor deposition. Mater. Lett. 2011, 65(4): 716-718

[3] Jinju Chen*, Hong Deng, Hong Ji, Yanlei Tian. Effect of substrate microstructure on the misorientation of a- plane ZnO film investigated using x-ray diffraction. J. Vac. Sci. Technol. A 2011, 29(3): 03A116-1-03A116-4

[4] Jinju Chen*, Hong Deng, Min Wei. Hydrothermal synthesis and optical properties of ZnO single-crystal hexagonal microtubes. Mater. Sci. Eng. B-Adv. 2009, 163:157-160

[5] Hong Deng, Jinju Chen*, Min Wei. Controllable growth of zinc oxide single-crystal hexagonal microtubes by hydrothermal synthesis. 2010 3rd International Nanoelectronics Conference, INEC 2010, 931-932

[6] 馮哲聖, 王焱, 陳金菊*, 張川, 林榮新. 一種表面碳包覆的鋰電池用磷酸鐵鋰正極材料的製備方法. 中國發明專利,專利號: ZL201110314514.0, 2013/09/11

[7] 馮哲聖, 張川, 陳金菊*, 王焱. 一種基於二價鐵離子還原的石墨烯製備方法. 中國發明專利,專利號:ZL201210190619.4, 2013/09/11

[8] 馮哲聖, 張寧, 陳金菊*, 張睿. 一種預複合高介電常數複合介質膜鋁電極箔的製備方法. 中國發明專利,專利號: ZL201110 227433.7, 2013/5/23

[9] 馮哲聖, 張睿, 陳金菊*, 張川. 一種多孔電極材料組織形貌表征方法. 中國發明專利,專利號:ZL201110341358.7, 2013/04/03

學生培養

畢業生走向

畢業生經過實驗室的特色培養，提高了其專業技能和培養質量，提高了畢業生在市場中的競爭力。畢業生就業分布廣、

多層次，有的走向研究院的研究崗位；有的走向科技公司的技術崗位；有的走向政府服務部門。近幾年學生走向有：中電集

團相關研究所、昆明貴金屬研究所、攀鋼研究院、重慶京東方、韓國SK集團韓渝鋰電、省/市政府機關等。

優秀學生介紹

王焱，在讀博士，2012.10-2013.10由研究室送往日本北海道大學交流學習，在讀期間研究方向為新能源材料研究，申

請發明專利2項，在《Nanoscale》、《Materials Letters》、《Electrochimica Acta》發表多篇研究論文。

陳信潔，碩士研究生畢業，畢業走向攀鋼研究院研究崗位。在讀期間研究方向為AAO器件套用，申請國防專利1項、發

明專利1項，在《Journal of Physics D》、《RSC Advances》發表多篇科技論文。

全印製電子技術及電能源材料團隊建立了突出“4E”能力（Energy、Energize 、Edge Execution），強化工程問題解決能力的研究生培養機制，在研究生培養中具有以下明顯特色：

（1）教師隊伍年輕，能與學生互融、共享、共成長。

（2）強調創新，突出工程問題解決能力。

（3）強調知識經濟，執行專利戰略。

（4）強調交叉互融及團隊合作。