陳一寧，男，漢族，新加坡南洋理工大學微電子博士，超大規模積體電路學者，電子器件大數據研究專才，曾在世界範圍內數家知名研究機構、高校和大型公司任重要技術性職位，自主創業者，會中，英，法，日四國語言。
基本介紹
- 中文名：陳一寧
- 別名：Y.N.Chen
- 國籍：新加坡
- 畢業院校：新加坡南洋理工大學
- 出生地：浙江
個人事件,教育經歷,工作經歷,成果獎勵,論文選摘,
陳一寧，新加坡南洋理工大學微電子博士。
個人事件
2011 年，受酷刪歡判邀請參加第 22 屆歐洲電子器件可靠性和失只台己潤效性物理分析大會並發表開場報告 “Study of the Charge Leakage of Dual Layer Pt Metal Nanocrystal-based high-κ/SiO2 Flash Memory Cell - A Relaxation Current Point of View”。
2011年戶立屑，受邀請參加第十七屆非導體薄膜和半導體會議並發表開場報告“Physical analysis of breakdown in high-k/metal gate stacks using TEM/EELS and STM for reliability enhancement”。
2012年，於Journal of Applied Physics發布"Temperature-dependent Relaxation Current on Single and Dual layer Pt Metal Nanocrystal- based Al2O3/SiO2 Gate Stack"
教育經歷
2011年獲得 新加坡南洋理工大學 電子與電氣工程學院 微電子學 博士
2005年獲得 比利時魯汶天主教大學 材料學院 微電子材料學 碩士
2004年獲得浙江大學電氣工程學淚臭煮院電子信息工程專業學士學位（2000級）。
工作經歷
從2019年，任職Smart Analysis 私人有限公司聯合創始人兼首席技術官
2017年-2019年，兼職仲企戀海金融服務外包（北京）有限公司技術顧問
2013年-2019年，任職荷蘭恩智浦(NXP)半導體有限公司亞太總部前端技術部主管
2011年-2013年，任職項譽希格羅方得(Globalfoundries)有限公司新加坡支部主任工程師
2008年-2011年，任職新加坡科技研究局(A*STAR) 高級研發科學家
2005年-2007年，任職歐洲微電子中心（IMEC）婚墊幾高級研發工程師
成果獎勵
2008 年獲得新加坡科技院 A*STAR 專項研究基金獎勵。
2011 年獲得第 18 屆國際積體電路物理可靠性和失效原理大會“最佳論文獎”（Best Paper IPFA）。
2014 年獲得荷蘭恩惠普半導體公司專項研究基金獎勵。
論文選摘
年份 | 論著（論文）名稱 | 發表載體 | 論著（論文）作者 |
2010 | Tri-level Resistive Switching in Metal- nanocrystal-based Al2O3/SiO2 Gate Stack | IEEE Transactions on Electron Devices | Y. N. Chen*, K. L. Pey, K. E. J. Goh, Z. Z. Lwin, P. K. Singh, and S. Mahapatra |
2010 | Post-breakdown recoverable metal nanocrystal- based Al2O3/SiO2 gate stack for non-volatile memory | International Conference on Solid State Devices and Materials, | Y. N. Chen*, K. L. Pey, K. E. J. Goh, Z. Z. Lwin, P. Singh, and S. Mahapatra |
2011 | Study of automatic recovery on the metal nanocrystal-based Al2O3/SiO2 gate stack | Applied Physics Letters | Y. N. Chen*, K. L. Pey, K. E. J. Goh, Z. Z. Lwin, P. Singh, and S. Mahapatra, |
2011 | Study of the Charge Leakage of Dual Layer Pt Metal Nanocrystal-based high-κ/SiO2 Flash Memory Cell - A Relaxation Current Point of View | 18th International Symposium on the Physical and Failure Analysis on integrated circuits | Y. N. Chen*, K. L. Pey, K. E. J. Goh, Z. Z. Lwin, P. Singh, and S. Mahapatra |
2011 | Charging and discharg ng characteristics of metal nanocrystals in degraded dielectric stacks | IEEE Electron Devices letters | Z. Z. Lwin*, K.L. Pey and Y. N. Chen |
2011 | New Leakage Mechanism and Dielectric Breakdown Layer Detection in Metal- Nanocrystal-Embedded Dual-Layer Memory Gate Stack | IEEE Electron Device Letters | Z. Zar Lwin*, K. L. Pey, N. Raghavan, Y. N Chen, and S. Mahapatra. |
2011 | Physical analysis of breakdown in high-k/metal gate stacks using TEM/EELS and STM for reliability enhancement | 17th Conference on Insulating Films on Semiconductors, Grenoble, France | K. L. Pey*, N. Raghavan, X. Wu, W. Liu, X. Li, M. Bosman, K. Shubhakar, Z. Z. Lwin, Y.N. Chen, H. Qin, and T. Kauerauf |
2012 | Temperature-dependent Relaxation Current on Single and Dual layer Pt Metal Nanocrystal- based Al2O3/SiO2 Gate Stack | Journal of Applied Physics | Y. N. Chen*, K. E. J. Goh, X. Wu, Z. Z. Lwin, P.K. Singh, S. Mahapatra and K.L. Pey |
