限制邊緣法生長

限制邊緣法生長是指生長EFG的方法。通過浸在熔矽中的石墨模具的狹縫，靠毛線細管效應將熔液吸引到模具頂端，再用籽晶引出矽帶來。模具頂端的尺寸起著規範矽頻寬度和厚度的作用。

基本介紹

• 中文名：限制邊緣法生長
• 外文名：edge-defined film-fed growth
• 學科：材料工程
• 領域：工程技術

簡介

限制邊緣法生長是指生長EFG的方法。

過程

通過浸在熔矽中的石墨模具的狹縫，靠毛線細管效應將熔液吸引到模具頂端，再用籽晶引出矽帶來。模具頂端的尺寸起著規範矽頻寬度和厚度的作用。

原理

EFG法改進為拉制九面空心柱後，單爐面積產率已提高到160cm²/min，所做太陽電池的光電轉換效率當面積為5×10cm²時平均為13%。高的能到15%。

優點

此法的優點是矽帶的寬、厚易於控制。不足之處是高碳含量、SiC顆粒和與拉制方向基本上平行的晶界。