《閃鋅礦稀磁半導體中的點缺陷對材料和器件性質的影響》是依託四川師範大學，由趙永紅擔任項目負責人的專項基金項目。
基本介紹
- 中文名：閃鋅礦稀磁半導體中的點缺陷對材料和器件性質的影響
- 項目類別：專項基金項目
- 項目負責人：趙永紅
- 依託單位：四川師範大學
- 批准號：11047104
- 申請代碼：A25
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2011-01-01 至 2011-12-31
- 支持經費：4（萬元）
項目摘要
閃鋅礦結構的稀磁半導體由於在晶格結構和電導上和已經廣泛套用的矽、鍺等材料相容，因而是重要的自旋電子學材料。實驗研究發現，這類材料的飽和磁矩和居里溫度等會隨著生長溫度和雜質濃度的改變而發生一些反常改變，傳統的均勻摻雜模型不能解釋相關現象。通過第一性原理總能計算，我們發現不同類別的點缺陷，如取代位、間隙位、反位，對這類材料的磁性有著重要的影響，隨著過渡金屬離子濃度以及生長溫度的改變，會形成具有不同結構與分布的點缺陷，從而使得實際測量的飽和磁矩及居里溫度遠小於均勻摻雜模型的計算結果。本項目計畫通過精確的第一性原理計算，對閃鋅礦結構稀磁半導體中的各類點缺陷的形成、分布及其對材料磁性和輸運性質的影響進行系統研究，可以進一步深入對這類材料中磁性起源的認識，並希望能從理論上預言出性能更優良的自旋電子學材料。
