門極電壓(gate voltage)是1998年經全國科學技術名詞審定委員會審定發布的電氣工程名詞。
基本介紹
- 中文名:門極電壓
- 外文名:gate voltage
- 所屬學科:電氣工程
- 發布時間:1998年
門極電壓(gate voltage)是1998年經全國科學技術名詞審定委員會審定發布的電氣工程名詞。
門極電壓(gate voltage)是1998年經全國科學技術名詞審定委員會審定發布的電氣工程名詞。發布時間1998年經全國科學技術名詞審定委員會審定發布的電氣工程名詞。1出處《電氣工程名詞》1...
門極可關斷晶閘管是一種具有自關斷能力和晶閘管特性的晶閘管。如果在陽極加正向電壓時,門極加上正向觸發電流,GTO就導通。在導通的情況下,門極加上足夠大的反向觸發脈衝電流,GTO就由導通轉為阻斷。它的一些性能雖然比絕緣柵雙極電晶體...
使可關斷晶閘管根據信號的要求導通或關斷的門極控制電路。用於控制電力電子電路中的可關斷晶閘管的通斷。根據對驅動可關斷晶閘管的特性或容量、套用的場合、電路電壓、工作頻率、要求的可靠性和價格等方面的不同要求進行分類,可有各式各樣...
斷態重複峰值電壓:斷態重複峰值電壓U是在門極斷路而結溫為額定值(100A以上為115℃,50A以下為100℃)時,允許重複加在器件上的正向峰值電壓。國標規定重複頻率為50Hz,每次持續時間不超過10ms。斷態重複、不重複峰值電壓的關係 斷態重複...
斷態正向不重複峰值電壓是在門極開路,並且晶閘管的結溫為額定值情況下,不允許重複加在晶閘管兩端的陽極電壓。用Udsm表示。斷態正向不重複峰值電壓略小於正向轉折電壓。相互關係 反向重複峰值電壓電壓取反向不重複峰值電壓的80%;反向不...
①橋內移相調壓方式:圖1a為電壓型單相逆變電路(見自換流式電壓型逆變電路)。各橋臂用自關斷元件的通用符號表示,其控制極脈衝分布狀態如圖1b。由圖可見,ug1和ug4、ug2和ug3保持相位互補關係, 但ug3和ug2分別引前於ug1和ug4...
斷態電壓臨界上升率 這是指在額定結溫和門極斷路條件下,使晶閘管從斷態到導通的最低電壓上升率。
VGM——峰值門極電壓 10V IGM——峰值門極電流 2.0A ITSM——浪涌通態電流(一個周期50/60HZ,峰值,不重複) 80/88A VISO——絕緣擊穿電壓(RMS,交流1分鐘1500V )外形圖 BTA08正面朝上,左邊的第一個腳是1,中間的腳是2,右邊...
通常而言,4200-PIV給門極施加一個脈衝,同時直流偏置漏極。源和本體均連線到地線/禁止層上。雙通道示波器(4200-SCP2)測量門極和漏極電壓。漏電流是通過計算示波器的50ohm兩端(圖1a,SCP2通道2的 Rsense)的電壓降得到的。為了提供...
3.晶閘管在導通情況下,只要有一定的正向陽極電壓,不論門極電壓如何,晶閘管保持導通,即晶閘管導通後,門極失去作用。 4.晶閘管在導通情況下,當主迴路電壓(或電流)減小到接近於零時,晶閘管關斷。工作過程 晶閘管是四層三端器件,...
3.7.8 最大門極電壓 3.8 運算放大器 3.8.1 失調:輸入失調電壓 3.8.1 失調:輸入失調電壓 3.8.2 失調:輸入失調電流 3.8.3 失調:輸入偏置電流 3.8.4 關於失調要做什麼 3.8.5 大電阻的限制 3.8.6 增益頻寬 3....
3. 晶閘管在導通情況下,只要有一定的正向陽極電壓,不論門極電壓如何,晶閘管保持導通,即晶閘管導通後,門極失去作用。4. 晶閘管在導通情況下,當主迴路電壓(或電流)減小到接近於零時,晶閘管關斷。從晶閘管的內部分析工作過程:晶閘管...
當可關斷晶閘管陽極和陰極間加正向電壓且低於正向轉折電壓時,若門極無正向電壓,則管子不會導通;若門極加正向電壓,則管子被觸發導通,導通後的管壓降比較大,一般為2~3V。由於可關斷晶閘管關斷時,可在陽極電流下降的同時升高施加的...
3. 普通晶閘管在導通情況下,只要有一定的正向陽極電壓,不論門極電壓如何,普通晶閘管保持導通,即普通晶閘管導通後,門極失去作用。 4. 普通晶閘管在導通情況下,當主迴路電壓(或電流)減小到接近於零時,普通晶閘管關斷。主要性能指標...
必須同時在門極與陰極之間加上一定的正向門極電壓,使得有足夠的門極電流流過,才能象二極體一樣正嚮導電。所以,門極對元件能否正嚮導通起控制作用。逆阻晶閘管一經導通,門極對它就失去控制作用,即門極不能控制通態電流的大小,也不...
VTM--通態峰值電壓,IGT--門極觸發電流,VGT--門極觸發電壓,IH--維持電流,dv/dt--斷態電壓臨界上升率, di/dt--通態電流臨界上升率,Rthjc--結殼熱阻,VISO--模組絕緣電壓,Tjm--額定結溫,VDRM--通態重複峰值電壓,IRRM--...
80年代,普通晶閘管的開關電流已達數千安,能承受的正、反向工作電壓達數千伏。在此基礎上,為適應電力電子技術發展的需要,又開發出門極可關斷晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管等一系列派生器件,以及單極型MOS功率場效應電晶體...
附於漏注入區上的電極稱為漏極。IGBT 的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP 電晶體提供基極電流,使IGBT 導通。反之,加反向門極電壓消除溝道,流過反向基極電流,使IGBT 關斷。IGBT 的驅動方法和MOSFET 基本相同,只需控制...
靜電感應晶閘管SITH(Static Induction Thyristor)誕生於1972年,是在SIT的漏極層上附加一層與漏極層導電類型不同的發射極層而得到的。因為其工作原理也與SIT類似,門極和陽極電壓均能通過電場控制陽極電流,因此SITH又被稱為場控晶閘管...
變壓器的一次側和二次側的電壓差作用於變壓器的漏抗並決定變壓器的電流。ARU通過改變相角和二次側電壓幅值來控制電流。主要組成部分 相模組: 每相模組由集成門極換流晶閘管IGCT、二極體和鉗位電容組成。門極供電單元(GUSP):獨立的門...
除跨導Gfs、開啟電壓UT以及td(on)、tr、td(off)和tf之外還有:(1)漏極電壓UDS——電力MOSFET電壓定額 (2)漏極直流電流ID和漏極脈衝電流幅值IDM——電力MOSFET電流定額 (3)柵源電壓UGS—— UGS>20V將導致絕緣層擊穿 。(4)極...
矽PNP管和矽NPN管相應的電流放大係數a1和a2隨其發射極電流的改變而急劇變化。當晶閘管承受正向陽極電壓,而門極未受電壓的情況下,式(1—1)中,Ig=0,(a1+a2)很小,故晶閘管的陽極電流Ia≈Ic0 晶閘關處於正向阻斷狀態。當晶閘管...
相控觸發電路是將控制信號轉變為在觸發滯后角觸發可控整流器、交流調壓器、直接降頻變頻器或有源逆變器中晶閘管的門極驅動脈衝的電路。簡介 觸發滯后角是上述變流器中晶閘管開始承受正向阻斷電壓到門極觸發脈衝間的電角度。改變觸發滯后角...