| 中文名稱 | 鎵砷磷 |
| 英文名稱 | gallium arsenic phosphide |
| 定 義 | 由砷化鎵和磷化鎵組成的固溶體。分子式為GaxAs11xP。主要用於發光器件。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），固溶體半導體材料（三級學科） |
| 中文名稱 | 鎵砷磷 |
| 英文名稱 | gallium arsenic phosphide |
| 定 義 | 由砷化鎵和磷化鎵組成的固溶體。分子式為GaxAs11xP。主要用於發光器件。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），固溶體半導體材料（三級學科） |
中文名稱 鎵砷磷 英文名稱 gallium arsenic phosphide 定義 由砷化鎵和磷化鎵組成的固溶體。分子式為GaxAs11xP。主要用於發光器件。 套用學科 材料科學技術(一級...
雪崩區選用n型InP,n-InP與n-InGaAs異質界面存在較大價帶勢壘,易造成光生空穴的陷落,在其間夾入帶隙漸變的InGaAsP(銦鎵砷磷)過渡區,形成SAGM(分別吸收、分級和...
磷化鎵等)、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體(鎵鋁砷、鎵砷磷...
磷化鎵等)、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體(鎵鋁砷、鎵砷磷...
因此要採用鍺光電管,為了獲得長波長的高性能光電檢測,將採用幾種新材料做成的光電管,如鋁鎵砷銻(Al GaAs Sb)、銦鎵砷磷(InGa As P)和銦鎵砷(In Ga As)...