錢凌軒，電子科技大學積體電路科學與工程學院，教授。2014年畢業於香港大學電機電子工程（EEE）系，獲哲學博士學位（PhD），同年加入電子科技大學/電子薄膜與集成器件全國重點實驗室，長期從事半導體器件領域研究。2006至2009年，曾就職於中芯國際（北京），擔任工藝整合部（PIE）代理項目經理、副高級工程師，參與中國第一條65 nm邏輯積體電路工藝研發，並負責前道器件（FEOL Devices）的開發與調控。迄今為止，在IEEE Electron Dev. Lett.、Appl. Phys. Lett.、ACS Photonics、ACS Appl. Mater. Inter.等領域權威期刊上發表SCI論文30餘篇；合作撰寫英文專著（Springer）1部；申請/授權中國發明專利10餘項；主持國家自然科學基金（面上、青年）及其他國家/省部級科研項目多項。
基本介紹
- 中文名：錢凌軒
- 國籍：中國
- 畢業院校：香港大學
- 職稱：教授
教育背景,工作履歷,學術兼職,研究方向,研究條件,代表論文,
教育背景
2010.09－2014.08 香港大學，博士（Ph.D.）
2003.09－2006.06 四川大學，碩士（M.Sc.）
1999.09－2003.07 四川大學，本科（B.Eng.）
工作履歷
2023.05－至今 電子科技大學，積體電路科學與工程學院（國家示範性微電子學院），教授
2016.08－2023.04 電子科技大學，微電子與固體電子學院 | 電子科學與工程學院 | 積體電路科學與工程學院 ，副教授
2014.09－2016.07 電子科技大學，微電子與固體電子學院，講師
2009.07－2010.06 中國專利技術開發公司（隸屬國家知識產權局）
2006.07－2009.05 中芯國際（北京），代理項目經理 | 副高級工程師
學術兼職
IEEE Member；
ACS Appl. Mater. Inter.、IEEE Electron Dev. Lett.、IEEE Trans. Electron Dev.、Appl. Phys. Lett.等領域權威期刊特邀評審；
研究方向
- 氧化鎵（第四代半導體）功率器件
- 非晶氧化物薄膜電晶體
- 高K柵介質在MOSFET器件中的套用
- 日盲紫外光電電晶體
研究條件
依託電子薄膜與集成器件全國重點實驗室，擁有過硬的薄膜生長、器件加工、性能測試以及電路設計的軟、硬體條件，有利於基礎研究的開展和成果的及時轉化。其中，主要涉及的微細加工設備包括分子束外延、原子層沉積、磁控濺射、電子束蒸發等。設備先進，項目經費充裕。
代表論文
【1】Y.Y. Zhang,L.X. Qian*, Z.H. Wu, P.T. Lai, and X.Z. Liu,Improved Performance of Amorphous InGaMgO Metal-Semiconductor-Metal Ultraviolet Photodetector by Post Deposition Annealing in Oxygen,IEEE Trans. Nanotechnol., 2016.
【2】J. Q. Song,L.X. Qian, and P. T. Lai,Effects of Ta incorporation in Y2O3 gate dielectric of InGaZnO thin-film transistor,Appl. Phys. Lett.,109, 163504, 2016.
【3】L.X. Qian*, Y. Wang, Z.H. Wu, T. Sheng, and X.Z. Liu,β-Ga2O3 solar-blind Deep-Ultraviolet photodetector
based on annealed sapphire substrate,Vacuum, accepted.
【4】L.X. Qian*, X. Z. Liu, T. Sheng, W. L. Zhang, Y. R. Li, and P. T. Lai,β-Ga2O3 solar-blind deep-ultraviolet photodetector basedon a four-terminal structure with or without Zener diodes,AIP Advances,6, 045009, 2016.
【5】Jiaqi Song,Lingxuan Qian, Cheunghoi Leung, and Puito Lai*, Improved electrical characteristics of amorphous InGaZnO thin-film transistor with HfLaO gate dielectric by nitrogen incorporation,Appl. Phys. Express,8, 066503, 2015.
【6】Ling Xuan Qianand Peter T. Lai *, Fluorinated InGaZnO Thin-Film Transistor with HfLaO Gate Dielectric,IEEE Electron Dev. Lett., 35(3), 363-365, 2014.
【7】L.X. Qian, P.T. Lai *, and W.M. Tang, Effects of Ta Incorporation in La2O3 Gate Dielectric of InGaZnO Thin-Film Transistor,Appl. Phys. Lett., 104, 123505, 2014.
【8】L.X. Qianand P.T. Lai *, Improved Performance of InGaZnO Thin-Film Transistor with HfLaO Gate Dielectric Annealed in Oxygen,IEEE Trans. Dev. Mater. Reliab., 14(1), 177-181, 2014.
【9】L.X. Qian, X.Z. Liu, C.Y. Han, and P.T. Lai *, Improved Performance of Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistor with Ta2O5 Gate Dielectric by Using La Incorporation,IEEE Trans. Dev. Mater. Reliab., 14(4), 1056-60,2014.
【10】L.X. Qian* and P.T. Lai, A Study on the Electrical Characteristics of InGaZnO Thin-Film Transistor with HfLaO Gate Dielectric Annealed in Different Gases,Microelectron. Reliab., 54, 2396-2400, 2014.
【11】L.X. Qian, W.M. Tang, and P.T. Lai *, Improved Characteristics of InGaZnO Thin-Film Transistor by Using Fluorine Implant,ECS Solid State Lett.; 3(8), P87-P90, 2014.
