銻化銦單晶

銻化銦單晶indium antimnnide single ryst.l InSh周 期表第皿、V族元素化合物半導體J共價鍵結合，有一定離子 鍵成分。i方晶系閃鋅礦型結構，晶格常數0 . 5.17$nm密度 5.775gIrm3o熔點525`x'.。

基本介紹

• 中文名：銻化銦單晶
• 屬性：化學化工名詞

定義信息

為直接帶隙半導體.室溫禁頻寬 度0. IAeV，本徵載流子濃度1 . l y 102z1m3，本徵電阻率（x 10-'m，較純晶體的電子和空穴遷移率為to和l.17澎/ V's）。採用區域熔煉、直拉法製備。用於製作遠紅外光電 探測器、霍耳器件和磁阻器件。