銻化稼銦晶體、ndium gallium antimonide crystal in,, C*a，一丁5b fl二毛1周期表第爪、V族元素化合物半導 休。 定義信息共價鍵結合，有定離子鍵成分.。閃鋅礦型結構，為混合 晶體。直接帶隙半導體，禁頻寬度在（Y . 18） 0 . 7Ue1範圍、 採用區域熔煉、直拉法製備。為製作雷射器材料
