金屬表面外延生長是指在較低覆蓋度下,外來金屬原子在基底金屬表面上沉積時,一般會形成有序(1×1)結構的覆蓋層,這意味著基底作為模板對沉積物的生長模式有重要影響,這種薄膜生長方式稱為外延生長;具體說,所謂“外延生長”是指基底把它的品體結構、取向和品格參數施加予外延生成層,這樣的定義當然有一定的局限性,按照這個定義生長的外延膜,又稱為“準同品生長”。
金屬表面外延生長是指在較低覆蓋度下,外來金屬原子在基底金屬表面上沉積時,一般會形成有序(1×1)結構的覆蓋層,這意味著基底作為模板對沉積物的生長模式有重要影響,這種薄膜生長方式稱為外延生長;具體說,所謂“外延生長”是指基底把它的品體結構、取向和品格參數施加予外延生成層,這樣的定義當然有一定的局限性,按照這個定義生長的外延膜,又稱為“準同品生長”。
金屬表面外延生長是指在較低覆蓋度下,外來金屬原子在基底金屬表面上沉積時,一般會形成有序(1×1)結構的覆蓋層,這意味著基底作為模板對沉積物的生長模式有重要影響...
固相外延工藝是一種直接法外延技術,它的特點是①生長溫度低(500℃左右);②與光刻技術完全相容;③在外延層表面上,金屬與外延層具有良好的歐姆接觸;④可以實現形狀...
磷化表面調整的處理方法是採用磷化表面調整劑使需要磷化的金屬表面改變微觀狀態,...離子與磷化液中的鋅離子交換生成磷鋅礦晶粒,這些晶粒就提供了磷化層外延生長的...
外延生長是指在單晶襯底(基片)上生長一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單晶層,猶如原來的晶體向外延伸了一段。外延生長技術發展於50年代末60年代初。當時,為了...
根據外延生長的規律,磷酸鹽晶體必須以外延形式生長,所以要儘可能地產生磷酸鹽微晶,以同樣大小,均勻地分布在金屬表面,細密地堆積;另外,這樣有規律、重複的外延取向晶...
生長出高質量的外延層,關鍵性的問題是控制鎵和砷的束流強度,否則會影響表面的...微波毫米波器件 的共同之處是分子束外延,金屬有機化合物汽相澱積等先進的超薄...
(主要有藍寶石和、SiC、Si)上,氣態物質InGaAlP有控制的輸送到襯底表面,生長出...目前LED外延片生長技術主要採用有機金屬化學氣相沉積方法。LED外延片襯底材料是...
以低熔點的金屬(如Ga、In等)為溶劑,以待生長材料(如Ga、As、Al等)和摻雜劑...再者LPE的外延層表面一般不如氣相外延好。液相外延矽LPE技術研究 ...
襯底表面必須清潔,沒有機械損傷和粗大的雜質堆積,否則會影響外延膜的生長和質量...金屬源化學氣相外延法在c面藍寶石上生長的ZnO膜及其表征[C]// 全國化合物...
熔融外延法是液相外延法的一種,是從材料的熔融狀態中進行外延生長的方法。1963年由Nelson等人提出。其原理是:以低熔點的金屬(如Ga、In等)為溶劑,以待生長材料(...
束外延生長是在超高真空下進行的,殘餘氣體對膜的污染少,可保持極清潔的表面。...雷射分子束外延在研究和發展多元金屬間化合物、亞穩態材料方面也可能有套用的...
2.7.2 剝離SiC表面外延生長的石墨烯 0852.7.3 將金屬上以CVD法生長的石墨烯轉移至任意基底上 0872.7.4 任意基底上生長的石墨烯的通用轉移法 095...
同質外延技術是在單晶基片表面上外延生長同種元素組成的單晶薄膜;異質外延技術是...獲得單晶薄膜的外延方法有:①分子束外延(MBE),②金屬有機物化合物氣相沉積(...