金奎娟

金奎娟，本科畢業於山東大學光學系。1995 年在中國科學院物理所獲理學博士學位，師從楊國楨院士、潘少華研究員。

現擔任L03課題組組長，中科院光物理重點實驗室學術秘書。獲國家科技進步三等獎1項，中科院科技進步一等獎1項，北京市科技進步一等獎1項。

基本介紹

• 中文名：金奎娟
• 國籍：中國
• 職業：研究員
• 畢業院校：山東大學
• 主要成就：北京市科技進步一等獎1項
• 代表作品：《饒毓泰基礎光學》

個人履歷

1995年留所工作。研究論文曾獲《饒毓泰基礎光學》一等獎。1997-1999年，美國橡樹嶺國家實驗室和田納西大學博士後，合作導師美國科學院院士G. D. Mahan 教授。後回所工作。2001－2003年在瑞典LUND大學作博士後。2003年4月回所工作。先後出訪韓國工業大學、瑞典Lund大學、香港科技大學、日本東京大學、澳大利亞Wollongong大學、香港大學等並建立相關學術合作關係。現擔任L03課題組組長，中科院光物理重點實驗室學術秘書。

所獲榮譽

榮獲中科院院長獎學金特等獎，獲國家科技進步三等獎1項，中科院科技進步一等獎1項，北京市科技進步一等獎1項。

研究方向

低維體系中量子效應，界面效應等在電子自旋輸運，光子輻射等物理過程中的重要作用。

工作及成果

1）將Fano共振機制推廣到半導體體系中。既將Fano共振理論推廣到半導體薄膜，量子阱，超晶格里的光吸收，Raman散射，以及光電導過程中，建立了新理論框架，預言了該體系Fano效應的存在，並被實驗完全證實。

2）闡明了量子限制效應在低維生長中關鍵作用。從電子能量的角度研究了表面異質成型機制，建立了表面成型穩定性倚賴於尺寸效應的理論；引入量子限制效應，對金屬引發的矽表麵條狀再構現象給出一個全新的物理解釋。

3）澄清了Bloch震盪導致太赫茲輻射的爭議。對多多年來存在爭議的電場下半導體超晶格體系Bloch震盪導致的太赫茲輻射機制給出與實驗完全符合的理論證實。

4）揭示了氧化物p－n異質結正巨磁電阻機制根源。針對最新實驗中發現的氧化物異質結中的奇異正磁電阻特性，建立了理論模型， 提出了系統中界面區域自旋極化電子的能態分布的不同乃是正的巨磁電阻產生的根源， 初步解釋了實驗中正磁電阻隨電壓，溫度，組分變化規律。

以上工作發表SCI收錄論文50餘篇，其中約有半數發表在Phys. Rev. Lett.，Phys. Rev. B，和Appl. Phys. Lett. 刊物上。

研究課題

國家重大基礎研究計畫（973）課題負責人，國家基金委面上項目負責人和創新群體項目的主要參加者。

1）氧化物低維體系自旋極化輸運機制研究。

2）氧化物體系光電效應機制研究。

3）超晶格中太赫茲（Thz）輻射研究。

4）量子阱中發光制冷機制研究。