金奇南

金奇南(Kim Ki-nam)，1958年4月出生於韓國，韓國國家工程院院士，中國工程院外籍院士，韓國工程院院長，三星電子會長，三星先進技術研究院院長。2014年開始擔任三星半導體部門總裁，與權五鉉共同將該部門打造成了公司最賺錢的業務。他整個職業生涯都在三星度過，1981年加入三星，年近40歲時晉升為高管，主導了三星一些最先進的記憶體晶片的開發。

2023年當選中國工程院外籍院士。

基本介紹

• 中文名：金奇南
• 外文名：KiNam Kim 
• 國籍：韓國 
• 出生日期：1958年4月 
• 畢業院校：韓國首爾大學、加利福尼亞大學 
• 職務：三星半導體部門總裁
• 工作單位：三星集團

人物經歷

1977年 ~ 1981年 韓國首爾大學電子工程學士學位。

1989年 ~ 1994年 美國加利福尼亞大學電子工程博士學位。

2014年開始擔任三星半導體部門總裁，與權五鉉共同將該部門打造成了公司最賺錢的業務。他整個職業生涯都在三星度過，1981年加入三星，年近40歲時晉升為高管，主導了三星一些最先進的記憶體晶片的開發。

2021年12月7日，韓國三星電子宣布，三大主營業務主管換人，移動和消費電子產品業務合併。金奇南則轉任三星先進技術研究院院長，該研究院是三星電子的“研發大腦”。

2023年，韓國國家工程院院長。

2023年11月，當選為中國工程院外籍院士。

研究方向

電子工程。