《量子阱光放大器與調製器單片光子集成器件研究》是依託清華大學，由王健華擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：量子阱光放大器與調製器單片光子集成器件研究
- 依託單位：清華大學
- 項目負責人：王健華
- 項目類別：面上項目
- 批准號：69677013
- 申請代碼：F0502
- 負責人職稱：副教授
- 研究期限：1997-01-01 至 1999-12-31
- 支持經費：10（萬元）
項目摘要
首次研製出採用InGaAs/InGaAlAs應變補請悼阿償量子阱結構的脊波導型光放大器與光葛擊恥調製騙悼器的集成器件，在光傳輸實驗中實現了接近於零的插入損耗。調製器在2V驅動電壓下，消光比達15dB，調製器頻寬7GHg。本研究成果成功解決了EA調製器在單獨使用時插入損耗大的問題。無損EA調製器的研製將為調製器的分立使用開拓更廣闊的套用前景。研究中採用InGaAs/InGaAlAs材料系，成功實現放大器的工作，對應變補償量子阱結構的設計及材料生訂茅槓尋長進行了研究，對多層波導結構半宙邀槳導體雷射束宙擔放大器的端面鍍膜參數進行理論分析與計算。上述工作為今後進一步研製偏振無關半導體光放恥束烏陵大器及其集成器件打下良好的基礎。
