《釋光材料的缺陷結構和發光機制的研究》是依託中山大學,由唐強擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名:釋光材料的缺陷結構和發光機制的研究
- 項目類別:面上項目
- 項目負責人:唐強
- 依託單位:中山大學
《釋光材料的缺陷結構和發光機制的研究》是依託中山大學,由唐強擔任項目負責人的面上項目。
《釋光材料的缺陷結構和發光機制的研究》是依託中山大學,由唐強擔任項目負責人的面上項目。中文摘要系統地製備具有代表性體系的釋光磷光體材料,用晶體結構研究方法,包括X射線衍射、中子衍射和電子自旋共振等,研究這些釋光材料中摻入...
採用稀土和過渡金屬元素摻雜,研製新的發光劑量學材料,重點是光釋光材料,用於低LET輻射和中子劑量測量.建立一套能同時測量熱群光和光釋光的劑量和發光譜的新裝置.結合電子自旋共振等相關效應分析.研究發光材料的發光機制和缺陷結構,提出新的發光劑量學理論模型。對促進發光劑量學的學科發展和實際套用都具有重要意義。
物理機制是發光體被激發時產生了離化,被離化出的電子將進入導帶,這時它或者與離化中心複合產生髮光 ,或者被材料中的陷阱俘獲。所謂陷阱是缺陷或雜質在晶體中形成的局部反常結構。它在禁帶中形成了局域性能級,可以容納和儲存電子。這些電子只有通過熱、光、電場的作用才能返回到導帶,到導帶後它們或者和離化中心複合...
《ABSiO4基螢光粉的晶體結構調變機制和發光性能調控研究》是依託北京科技大學,由夏志國擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 研究稀土發光材料的晶格特性和激活離子占位環境,對發光性能調控具有重要的科學意義。本項目以ABSiO4基正矽酸鹽螢光粉為研究對象,圍繞“化學組成-晶體結構-Eu2+/Ce3+摻雜發光性能”的構...
《上轉換髮光材料的製備、發光機制與性能研究》是2019年8月1日武漢大學出版社出版的圖書,作者是程學瑞。內容簡介 "上轉換發光材料能夠持續吸收低能光子而發射高能光子,由於其獨特的性能,成為材料領域的研究熱點。本書在闡述發光材料相關知識的基礎上,詳細介紹了上轉換髮光材料的製備方法和發光機理,重點描述基質材料對...
故研究磷光衰減規律對了解物質結構和發光機制具有重要理論意義。在實用上,磷光衰減較快的稱短餘輝磷光體,衰減較慢的稱長餘輝磷光體,各用在不同場合。分立中心發光 這是在絕緣體發光中的主要類型。常用的基質材料包括:鹼金屬鹵化物,如NaCl;鹼土金屬鹵化物,如CaF₂;氧化物,如Al₂O₃、MgO、Y₃Al₅...
朱靜是我國分析電子顯微學領域的學術帶頭人,長期從事材料的顯微結構、缺陷、界面等的形成和演變及其與性能關係的研究,套用現代顯微分析技術在研製新材料和材料科學的基礎研究中做出創新性工作。主編和合作者共同撰寫了中國第一部分析電子顯微學專著《高空間分辨分析電子顯微學》。人物經歷 1938年10月10日,朱靜出生於...
光致發光是一種探測材料電子結構的方法,它與材料無接觸且不損壞材料。光直接照射到材料上,被材料吸收並將多餘能量傳遞給材料,這個過程叫做光激發。這些多餘的能量可以通過發光的形式消耗掉。由於光激發而發光的過程叫做光致發光。光致發光的光譜結構和光強是測量許多重要材料的直接手段。光激發導致材料內部的電子躍遷...
採用了從頭算分子動力學模擬研究了低能輻照條件下α-Al2O3的移位閾能、缺陷和分布情況。採用聚丙烯醯胺聚合凝膠法製備了不同含量C摻雜以及Zn、Ti、Fe、Ni金屬元素與C共摻雜α-Al2O3材料,研究其微觀結構和形貌以及發光特性。研究了He、Zn、Ti、Fe、Ni離子束輻照和電子束輻照對α-Al2O3:C晶體發光特性的影響。結...
本書主要描述材料中的物理現象及其本質機理和套用。本書分為10章,分別是材料的晶態結構、晶體缺陷、材料的固態相變、材料的固態擴散、材料的電子理論、材料的電學性能、材料的磁學性能、材料的熱學性能、材料的力學性能、材料的光學性能。本書可作為材料科學與工程等工科專業材料物理課程的教材,也可作為相近專業研究生...
(5)在電子交換機制的能量轉換中應是一種良好的能量接受體(energyacceptor);(6)應有較短的三重態壽命,以避免發光點的飽和。那么共有什麼樣結構的化合物才有較高的磷光量子效率呢?現在還沒有非常成熟的規律作為分子設計的依據,但在文獻中已經實際用到的配體已經不少了。主體材料的選擇 在磷光電致發光器件中...
5.2 擴散機制113 5.2.1 間隙擴散113 5.2.2 置換擴散115 5.2.3 晶界擴散和位錯擴散117 5.3 上坡擴散118 5.4 影響擴散的因素119 5.4.1 溫度119 5.4.2 固溶體類型119 5.4.3 晶體結構120 5.4.4 溶質濃度120 5.4.5 第三組元120 5.4.6 晶體缺陷121 思考題和習題122 第6章 材料的電學性能...
7.3 自發極化與熱釋電性167 7.3.1 自發極化與晶體結構167 7.3.2 熱釋電效應168 7.4 鐵電性169 7.4.1 鐵電性及其巨觀特徵169 7.4.2 鐵電晶體的結構相變169 7.4.3 電疇結構及電滯回線174 7.4.4 多晶鐵電材料的技術極化177 7.4.5 鐵電體的摻雜改性178 7.5 反鐵電性179 參考文獻182 ...
反之,發光峰容易發生寬化並紅移;摻雜影響晶體結構中的缺陷狀態。 本項目研究取得了純相及摻雜AlN新型六方形態納米管制備的突破,解決了AlN六方納米管陣列大面積合成及其基底結合問題,在製備方法、生長機理及基本套用性能方面取得翔實研究資料和成果,為AlN納米管陣列的物理性能研究和套用開發奠定先決條件。
1.5.1 導體、絕緣體、半導體的能帶結構 1.5.2 能帶理論對金屬性質一些差異的解釋 1.5.3 理解正霍耳係數的意義 本章小結 複習題 第2章 材料的導電性能 2.1 引言 2.2 電子類載流子導電 2.2.1 金屬導電機制 2.2.2 電阻率與溫度的關係 2.2.3 電阻率與壓力的關係 2.2.4 冷加工和缺陷對電阻率的...
雖然稀土離子能級結構的理論已經十分成熟,但對於不同的基質中這些能級相對於基質能帶的位置尚未形成完整、清晰的認識,因此有必要進行相關研究,為設計稀土下轉換發光材料並正確評估其性能,提供實驗和理論的依據。結題摘要 稀土下轉換(量子剪裁)發光材料,因理論量子效率可達200%而成為提高發光效率的首選。本項目詳細...
范桂芬:女,華中科技大學光學與電子信息學院副教授,主要研究方向為鐵電壓電材料與器件研究、新型磁電複合材料與器件研究、低溫共燒及片式元器件研究。圖書目錄 第1章結論 第2章電子材料的結構、缺陷與相變 第3章電子材料的電導 第4章電子材料的介電性能 第5章電子材料的磁學性能 第6章電子材料的光學性質 參考文獻...
表1列出了常用於生物學研究的上轉換材料基質。儘管UC顆粒已有許多合成方法,為了得到高效的UC發光產品,許多研究仍致力於探尋合成高晶化度的UC顆粒。具有較好晶體結構的納米顆粒,其摻雜離子周圍有較強的晶體場,且因晶體缺陷而導致的能量損失較少。考慮到生物領域的套用,為與生物(大)分子結合,納米顆粒應同時具備小...
通過結構、計算證明了Au(III)-Au(III)相互作用的存在。(iv)通過發展溶液中具有長壽命三重激發態的高磷光d 和 d⁸金屬化合物,極大拓展了光化學的研究領域。這樣的例子有:Ÿ [Pt₂(P₂O₅H₂)₄]作為分子光催化劑Ÿ 發光Pt(II)環金屬化合物作為蛋白質和DNA綁定探針,同時該發光Pt(II)環金屬...
由於GaN晶體具有優良的物理和化學性質,因而被認為是一種非常具有套用前景的第三代寬頻隙半導體材料。由於GaN晶體薄膜外延生長技術的改進與提高,使其在半導體器件套用領域得以迅速發展,尤其在GaN基光電器件套用研究領域。由此,GaN晶體的發光特性、帶隙能級的精細結構、能級形成的內部機制以及能級間的躍遷行為變得十分具有...
基於分子磁性的分子自旋電子學研究 可用於量子計算機的分子磁體材料的設計合成 有機導電磁體 多鐵分子材料 功能配合物的可控合成 分子間弱相互作用與功能超分子材料的調控 分子影像材料 智慧型配位聚合物分子材料 過渡金屬促進的硼-氫鍵活化 金屬藥物的作用機理 金屬酶模擬 硒蛋白的結構、功能與化學模擬 重元素的相對論...
有機物質(小分子和聚合物)的電子結構與電子性質也受到廣泛的重視。有機發光器件和電子器件正在研製開發之中。研究熱點 凝聚態物理學的研究熱點:①1984年發現準晶態;②1986年發現高溫超導體YBaCuO₂(釔鋇銅氧化物);③1984年建立納米科學;④1992年發現材料LaSrMnO₃的巨磁阻效應;⑤2001年發現新的高溫超導...
本項目將研究基於微納加工技術的可控半導體量子點製備方法,創新性地提出利用化學處理和高溫處理等簡單易行的方法形成具有三維覆蓋層結構的量子點,並通過解決微納加工工藝對量子點發光動力學過程的影響機制、量子點能級結構及激子特性與量子點結構參數的關係、微納加工工藝對量子點結構特性的影響規律等關鍵科學問題,摸索...
複雜體系的腐蝕電化學研究 林昌健 富勒烯的形成機理 謝素原 材料合成中分子有序組合體模板的機理問題 郭榮 分子有序組合體的理論模擬與設計 郭榮 表面增強光譜學的統一理論 田中群 吳德印 表面手性結構的形成、識別與控制 陳婷 萬立駿 電化學界面結構的理論模型 吳輝煌 田昭武 超臨界流體中的微觀聚集行為對化學反應...
由於全過程中晶體內伴隨有電子和空穴的漂移或擴散,從而常常產生特徵性光電導現象,因而這類發光一般又稱為光電導型發光。相對而言這類發光餘輝較長,俗稱磷光。電視機或監視器就是這類發光。它由晶體基質所決定的價帶和導帶、製備發光體摻入的激活劑離子所產生的局部能級G(一般為基態能級)以及晶體結構缺陷或加入的...
GaN材料位錯密度高,晶體質量不佳,是制約GaN半導體領域發展的最基本瓶頸。本申請項目提出創新的疊層掩膜結構,強化位錯的阻擋和位錯的閉合兩種機制,以有效降低藍寶石襯底異質外延GaN材料的缺陷密度為目標,從理論和實驗上開展氮化物外延生長動力學與缺陷行為控制的研究。主要內容涉及生長過程中缺陷,特別是微管、穿透位錯和...
右下圖是光電倍增管的大致結構,它的管內除有一個陰極K和一個陽極A外,還有若干個倍增電極K1.K2.K3.K4.K5等。使用時不但要在陰極和陽極之間加上電壓,各倍增電極也要加上電壓,使陰極電勢最低,各個倍增電極的電勢依次升高,陽極電勢最高,這樣,相鄰兩個電極之間都有加速電場,當陰極受到光的照射時,就發射光...
在一些發光二極體和特殊發光器件的實際套用中,激子發光是一種重要的發光機制,特別是在一些間接帶半導體材料和低維結構半導體材料製成的發光二極體中,激子發光躍遷被證明往往起著關鍵性的作用.例如用氮化物材料可製成藍綠光和紫外光發光二極體.眾所周知,氮化物及其合金中一般缺陷濃度是很大的,但發光效率卻很高,原因是...
喇曼效應的機制和螢光現象不同,並不吸收激發光,因此不能用實際的上能級來解釋,玻恩和黃昆用虛的上能級概念說明了喇曼效應。下圖是說明喇曼效應的一個簡化的能級圖。藉助於觀察被測樣品喇曼散射的頻率、強度、偏振等性質來研究分子結構和性質的學科,即為喇曼光譜學。喇曼光譜儀通常包括雷射光源、樣品室、色散系統和...