鄧惠雄

鄧惠雄，男，博士，副研究員，碩士生導師。中國電子學會電子產業戰略分會委員。

人物簡介

2005年畢業於內蒙古大學物理系，2010年於中國科學院半導體研究所獲得博士學位。2011年4月至2014年1月在美國可再生能源國家實驗室（NREL）從事博士後研究。2014年2月回中科院半導體所超晶格國家重點實驗室工作至今。

科研成果

1) 研究了大失配等價摻雜合金GaAs1-xNx和GaAs1-xBix能隙邊緣電子態的反交叉行為，並首次以能帶展開效應定性解釋這一現象。2）利用第一性原理方法，解釋了岩鹽結構CoO的第二類型的反鐵磁性(AFM-II)的物理起源。3）首次提出了氫鈍化可以降低氧化物納米結構的能隙，增強光吸收，並得到了實驗驗證。4）首次利用能帶耦合模型解釋了非晶離子化合物（如TCO材料）與非晶共價化合物間導電不均衡性的物理根源。5）發現了異價合金的價帶頂波函式局域化造成了其能隙的反統計行為。6）系統地研究了晶格匹配III-V/II-VI異價超晶格的界面結構及其穩定性。

研究領域

主要從事基於第一性原理方法的半導體新能源材料理論計算、物性探究與設計。