郭麗偉

郭麗偉,女,1962年3月生,分別於1984年和1987年在遼寧大學物理系獲理學學士和理學碩士,於1996年在中國科學院物理研究所獲理學博士。曾在香港科技大學和日本東北大學金屬材料研究所進行訪問研究。現任中國科學院物理研究所研究員、博士生導師。兼任半導體學報編委。

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研究方向

新一代光電功能材料的生長、結構和物性研究。

獲得成果

(1) 採用分子束外延(MBE)技術製備SiGe基、GaAs基、InGaP基量子結構,並對其電、光等性能進行研究; (2) 採用金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)技術外延GaN基材料和相關器件結構材料,研究其輸運和光學特性; (3) 作為研究骨幹和課題負責人先後承擔了國家攀登計畫、光子集成重大課題、973基礎研究計畫和科學院創新工程重要方向項目、特殊973項目子課題和國家自然科學基金等項目。 (4) 在國內外重要學術刊物上發表論文70餘篇,授權發明專利6項。

研究課題

目前正在承擔中科院知識創新工程重要方向項目(關於石墨烯的製備、性能和器件研究)和碳化矽晶體生長、加工技術研究的合作項目。 目前的研究方向: (1) 石墨烯的製備、本徵物理特性研究和相關器件套用的探索; (2) 寬頻隙半導體GaN、AlN和SiC晶體材料的生長和相關物性研究。

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