邢曉東

邢曉東，博士，副教授，碩士生導師。研究方向為量子材料與器件。研究內容：從事III-V族半導體材料的分子束外延生長與表征研究，主要負責材料生長工藝的制定、材料製備與性能測試等。

基本介紹

• 中文名：邢曉東
• 國籍：中國
• 職業：博士
• 信仰：共產主義

個人經歷

2003.7 －至 今 南開大學泰達套用物理學院，從事半導體材料分子束外延生長與表 征

研究方向

（1）分子束外延生長技術

（2）量子材料與器件

本組成果

（1） 生長出國內電子遷移率最高的AlGaAs/GaAs二維電子氣HEMT半導體外延材料，為161000cm2/V·s，光照後的77K電子遷移率為230000 cm2/V·s，2K時電子遷移率達到1780000cm2/V·s。

（2） 生長出外延層厚度為2.5mm以下的高質量InP/InP材料，電學性能為77K時電子遷移率47600cm2/V·s（磷的裂解溫度為850℃），該結果是目前國際上已報導的MBE外延InP/InP材料最好結果，測試鑑定結果為Riber公司MBE Compact 21T型設備的歷史最好水平。