《適合於SOC的射頻電路用超高密度MIM電容及其可靠性研究》是依託復旦大學，由丁士進擔任項目負責人的重大研究計畫。
基本介紹
- 中文名：適合於SOC的射頻電路用超高密度MIM電容及其可靠性研究
- 依託單位：復旦大學
- 項目類別：重大研究計畫
- 項目負責人：丁士進
- 批准號：90607023
- 申請代碼：F0404
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2006-07-01 至 2008-12-31
- 支持經費：29（萬元）
項目摘要
本項目針對適合於SOC的射頻電路對高性能金屬/絕緣體/金屬（MIM）電容器的要求，用原子層澱積（ALD）技術製備Nb2O5/HfO2和Nb2O5/Al2O3等納米疊層高介電常數複合介質薄膜，研究絕緣薄膜的組成和結構、金屬材料對MIM電容中漏電行為、電容電壓係數、電容的頻率特性、金屬/絕緣體的界面特性等的影響機理，同時對介質薄膜在金屬襯底上的生長機理和ALD過程中界面層的抑制進行研究。並在前面的研究
