《透明氧化物異質結的電阻開關效應研究》是依託上海師範大學，由王濤擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：透明氧化物異質結的電阻開關效應研究
- 項目類別：青年科學基金項目
- 項目負責人：王濤
- 依託單位：上海師範大學
項目摘要,結題摘要,
項目摘要
本項目擬採用脈衝雷射沉積法製備Ga2O3薄膜，研究薄膜的微觀結構、光學性能和電學性能，開展n-Ga2O3/p- La0.67Ca0.33MnO3異質結的製備及其光電性能研究，探索Ga2O3薄膜的電阻開關性質，在此基礎上，研究採用異質p-n結調整薄膜電阻開關性能，研究異質結的電阻記憶特性與鐵磁特性的耦合關係，探索並利用其間的內在作用規律對電阻記憶特性進行有效調控。結合電阻記憶過程異質結界面處微觀信息的變化，揭示電阻記憶特性的微觀物理機制。解決Ga2O3及其異質結薄膜電阻存儲器件的穩定性和耐疲勞性問題，闡明材料微觀結構和性能與器件功能之間的關聯和規律。
結題摘要
利用脈衝雷射沉積方法在Al2O3襯底製備了氧化鎵薄膜，研究了製備氧化鎵薄膜時襯底溫度對所得產物的影響，並對所制薄膜做了一定的表征。實驗發現採用脈衝雷射沉積技術所製得的薄膜在600℃以下以非晶態氧化鎵為主，薄膜沒有產生明顯的結晶，而在 700℃以上時薄膜產生了的結晶。進一步研究發現，在 750℃製備的氧化鎵薄膜緻密均勻、質量較好。利用脈衝雷射沉積技術在Al2O3襯底生長了厚度約為 150 nm Ga2O3薄膜，通過直流濺射工藝在 Al2O3襯底和Ga2O3薄膜上鍍薄膜Au 電極，成功製備了 Au/Ga2O3/Al2O3/Au 結構，利用 Keithley4200 測試該器件的 I-V 曲線和阻變存儲性能，在掃描過程中發現了雙極型阻變行為, 發現該器件高低阻態視窗大，保持性能穩定。在Al2O3 襯底上製備了 Ga2O3/La0.67Ca0.33MnO3 異質結，測量該異質結的電學性能。
