趙德剛(中科院半導體研究所研究員,博士生導師)

趙德剛(中科院半導體研究所研究員,博士生導師)

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趙德剛,男,博士,研究員,博士生導師。1972年出生,1994年、1997年在電子科技大學微電子科學與工程系分別獲得學士、碩士學位,2000年在中國科學院半導體研究所獲得博士學位。現任中科院半導體研究所研究員,博士生導師。

基本介紹

  • 中文名:趙德剛 
  • 出生日期:1972年 
  • 畢業院校:中國科學院 
  • 職稱:研究員
人物履歷,研究領域,主要貢獻,

人物履歷

1994年、1997年在電子科技大學微電子科學與工程系分別獲得學士、碩士學位,
2000年在中國科學院半導體研究所獲得博士學位。
2009年度國家傑出青年科學基金獲得者,
2011年第十二屆中國青年科技獎獲得者。
現任中科院半導體研究所研究員,博士生導師。

研究領域

主要從事GaN基光電子材料生長與器件研究,尤其是對GaN基紫外探測器的材料生長機理、材料物理及器件物理有較深入的理解和認識。

主要貢獻

先後研製出高性能的GaN基紫外探測器單元器件、面陣和APD探測器,同時也為實現我國第一支GaN基雷射器做出了貢獻。主持和承擔了國家863、973、自然科學基金等多個項目,在Appl.Phys.Lett.、J.Appl.Phys.等著名學術刊物上發表SCI論文100多篇,國家授權發明專利7項,撰寫中文、英文專著各一章。
在GaN材料方面,深入研究了緩衝層原理,創造出一種獨特的生長方法,生長出高質量的GaN材料,室溫下電子遷移率超過1000cm2/Vs,這是國際上報導的最好結果之一;研究了Al原子寄生反應機制,找到了控制寄生反應的方法,生長出高質量的AlGaN、AlN材料;發現室溫下GaN材料的應力狀態主要取決於外延層和襯底之間的熱失配,還發現GaN材料中的“黃光缺陷”和“藍光缺陷”與刃位錯緊密相關,並初步建立了GaN的光學、電學、結構性質的關係。
在GaN器件方面,發明了幾種紫外探測器新結構,設計出能夠監測紫外波長的新型器件,還創新性地提出了利用紫外探測器的回響光譜對p-GaN載流子濃度進行測量的新方法;研究了器件工藝技術,相繼製備出高性能的GaN基紫外探測器單元器件、面陣以及紫外APD雪崩探測器,並揭示了歐姆接觸和點缺陷對器件的影響機理;解決了GaN、p-AlGaN的一些生長難點,為實現我國第一支GaN基雷射器做出了重要貢獻。

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