《超短超強雷射與含氘靶作用的中子發射研究》是依託中國工程物理研究院雷射聚變研究中心，由谷渝秋擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：超短超強雷射與含氘靶作用的中子發射研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：谷渝秋
- 依託單位：中國工程物理研究院雷射聚變研究中心
- 批准號：10275057
- 申請代碼：A2902
- 負責人職稱：研究員
- 研究期限：2003-01-01 至 2005-12-31
- 支持經費：30（萬元）
項目摘要
項目主要研究超短超強雷射與氘化靶（氘代乙烯、氘團簇）相互作用的中子產額、中子角分布、中子飛行時間譜。研究中子的產生機制以及氘離子在強雷射場中的加速機制（庫侖爆炸、靜電加速、成絲等）。本項目對獲得檯面化脈衝中子源有直接意義，同時對於快點火物理來說可以了解超短超強雷射對離子的加速能力以及發射的方向性。
