讀操作

CPU為了與存貯器或I/O連線埠進行一個位元組的數據交換,需要執行一次匯流排操作。按數據傳輸的方向來分,可將匯流排操作分為讀操作和寫操作兩種類型;按照讀/寫的不同對象,匯流排操作又可分為存貯器讀/寫與I/O讀/寫操作。

基本介紹

  • 中文名:讀操作
  • 外文名:Read operation
UV-EPROM的讀操作,

UV-EPROM的讀操作

接下來我們看一下UV-EPROM的讀操作。無論怎么說,這只是作為ROM(Read Only Memory,唯讀存儲器)的操作,因而非常簡單。

將地址匯流排(A0~A16)設定為希望訪問的地址,當CE=OE=低電平時,DQ中出現數據。

現在,讓我們來討論AC特性。

AC特性對時序進行了規定。圖顯示了Am27C0l0讀操作時的波形。具體的時序如表所示。在“速度等級”一欄中雖然有許多內容,但這表示即使是相同的器件,也將根據tACC時間進行區分。器件中標示速度等級的“—45”及“-90”等的數值是與器件型號及批號等一同被列印上去的。
圖讀操作的波形
表的AC時序
這並不是根據速度等級的不同而進行不同的設計,即使是以完全相同的設計進行製造,也將根據試驗結果和出貨計畫進行等級分類。例如,“- 90”器件的tACC最大是90ns,它不能歸類到“-70”的器件中。也就是說,tACC的實際測量值如果不是大於70ns、低於90ns之間的值,那么根據情況,可能被歸類到“-45”及“—70”等的等級中。

下面我們針對圖示的時序做少許補充。

1. tACC:地址訪問時間(Address Access Time)

在維持CE=DE=“L”(低電平)的狀態下,如果改變地址匯流排的狀態,則一定時間後該地址的數據將顯現於DQ端。從地址確定後到數據被實際確定之間的時間就是tACC。在tACC時間形成之前,不能確保DQ端出現數據。
2. tCE:CE訪問時間

在地址確定、OE仍然維持“L”低電平的狀態下,如果CE有效(為“L”),則一定時間之後將出現指定地址的數據。從CE有效到確保數據已確定這一段時間是tCE。的tACC和tCE的時間是相同的。

3. tOE

在地址確定、CE維持“L”低電平的狀態下,從OE有效到數據被確定的時間就是tOE。觀察存儲器內部,一旦地址確定、CE有效,則向存儲器單元的訪問就全部完成,數據輸出到EPROM的輸出緩衝器前。

在此,只要OE有效,輸出緩衝器就輸出數據。為此,比較tACC和tCE,tOE會更短。

tACC、tCE和tOE無論哪個都不能單獨確定大小,必須在整體中去適應速度最慢的那個時間值。例如,在利用了Am27C0l0 Qn的系統中,地址確定後,在5ns後CE有效,再5ns後OE有效。從表中可看出,tACC=tCE=90ns,tOE=40ns。

如果以地址被確定那一時刻作為起點,則:

根據tACC的訪問時間:90ns

根據tCE的訪問時間:5ns+90ns=95ns

根據tOE的訪問時間:5ns+5ns+40ns=50ns

因而,訪問時間的大小取決於tACC、tCE和tOE中最長的tCE,也就是說地址被指定後數據將在95ns後被確定。
4. tDF

CE及OE如果無效,則DQ引腳處於高阻抗狀態。但這也不能說是瞬間,還是需要一些時間的,該時間就是tDF。在tDF以內的時間裡,如果其他的器件驅動了數據匯流排,則將會與EPROM的輸出發生衝突。因此,在進行硬體設計時必須注意這一點。

5.tOH
提供給EPROM的地址發生變化,或者即使CE和OE無效,瞬間數據也不會消失,而是在非常短的時間內,維持輸出的原始狀態。規定的這個最小時間就是tOH。

的該時間全部是零,所以不能確保地址發生變化或者OE及CE無效後的數據。

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