記憶體編碼含義

記憶體編碼含義,需要我們知道記憶體顆粒編碼主要數位的含義,拿到一個記憶體條後就非常容易計算出它的容量。

基本介紹

  • 中文名:記憶體編碼含義
  • 外文名:Samsung
  • 電壓:空白=5V,V=3.3V,U=2.5V
  • I/O界面:1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2
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Samsung

具體含義解釋

記憶體編碼含義
主要含義:
第1位——晶片功能K,代表是記憶體晶片。
第2位——晶片類型4,代表DRAM。
第3位——晶片的更進一步的類型說明,S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM 、T代表DDR2 DRAM、D表示GDDR1(顯存顆粒)。
第4、5位——容量和刷新速率,容量相同的記憶體採用不同的刷新速率,也會使用不同的編號。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量;28、27、2A代表128Mbit的容量;56、55、57、5A代表256Mbit的容量;51代表512Mbit的容量。
第6、7位——數據線引腳個數,08代表8位數據;16代表16位數據;32代表32位數據;64代表64位數據。
第8位——為一個數字,表示記憶體的物理Bank,即顆粒的數據位寬,有3和4兩個數字,分別表示4Banks和8Banks。對於記憶體而言,數據寬度×晶片數量=數據位寬。這個值可以是64或128,對應著這條記憶體就是1個或2個bank。例如256M記憶體32×4格式16顆晶片:4×16=64,雙面記憶體單bank;256M記憶體16M×16格式 8顆晶片:16×8=128,單面記憶體雙bank。所以說單或雙bank和記憶體條的單雙面沒有關係。另外,要強調的是主機板所能支持的記憶體僅由主機板晶片組決定。記憶體晶片常見的數據寬度有4、8、16這三種,晶片組對於不同的數據寬度支持的最大數據深度不同。所以當數據深度超過以上最大值時,多出的部分主機板就會認不出了,比如把256M認成128M就是這個原因,但是一般還是可以正常使用。
第9位——由一個字元表示採用的電壓標準,Q:SSTL-1.8V (1.8V,1.8V)。與DDR的2.5V電壓相比,DDR2的1.8V是記憶體功耗更低,同時為超頻留下更大的空間。
第10位——由一個字元代表校訂版本,表示所採用的顆粒所屬第幾代產品,M表示1st,A-F表示2nd-7th。目前,長方形的記憶體顆粒多為A、B、C三代顆粒,而現在主流的FBGA顆粒就採用E、F居多。靠前的編號並不完全代表採用的顆粒比較老,有些是由於容量、封裝技術要求而不得不這樣做的。
第11位——連線“-”。
第12位——由一個字元表示顆粒的封裝類型,有G,S:FBGA(Leaded)、Z,Y:FBGA(Leaded-Free)。目前看到最多的是TSOP和FBGA兩種封裝,而FBGA是主流(之前稱為mBGA)。其實進入DDR2時代,顆粒的封裝基本採用FBGA了,因為TSOP封裝的顆粒最高頻率只支持到550MHz,DDR最高頻率就只到400MHz,像DDR2 667、800根本就無法實現了。
第13位——由一個字元表示溫控和電壓標準,“C”表示Commercial Temp.( 0°C ~ 85°C) & Normal Power,就是常規的1.8V電壓標準;“L”表示Commercial Temp.( 0°C ~ 85°C) & Low Power,是低電壓版,適合超頻,一般很少在普及型記憶體上使用,因為三星比較注重穩定性和兼容性,並不想更多的發燒友超頻帶來危險。
第14、15位——晶片的速率,如60為6ns;70為 7ns;7B為7.5ns (CL=3);7C為7.5ns (CL=2) ;80為 8ns;10 為10ns (66MHz)。DDR2起步頻率是400MHz,主流最高頻率是800MHz,也有品牌出過1066MHz,其實在DDR2的套用層面上已經沒有多大的用處了,因此這段的兩個字元“CC”表示DDR2-400(200MHz@ CL=3、tRCD=3、tRP=3)、“D5”表示DDR2-533(266MHz@ CL=4、tRCD=4、tRP=4)、“E6”表示DDR2-667(333MHz@ CL=5、tRCD=5、tRP=5)、“E7”表示DDR2-800(400MHz@ CL=5、tRCD=5、tRP=5)
三星的編號還有第16、17、18三位,這三位編號並不常見,一般用於OEM與特殊的領域,因而在此就不介紹了。

容量計算

知道了記憶體顆粒編碼主要數位的含義,拿到一個記憶體條後就非常容易計算出它的容量。例如一條三星DDR記憶體,使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0顆粒封裝。顆粒編號第4、5位“28”代表該顆粒是128Mbits,第6、7位“08”代表該顆粒是8位數據頻寬,這樣我們可以計算出該記憶體條的容量是128Mbits(兆數位) × 16片/8bits=256MB(兆位元組)。
註:“bit”為“數位”,“B”即位元組“byte”,一個位元組為8位則計算時除以8。關於記憶體容量的計算,文中所舉的例子中有兩種情況:一種是非ECC記憶體,每8片8位數據寬度的顆粒就可以組成一條記憶體;另一種ECC記憶體,在每64位數據之後,還增加了8位的ECC校驗碼。通過校驗碼,可以檢測出記憶體數據中的兩位錯誤,糾正一位錯誤。所以在實際計算容量的過程中,不計算校驗位,具有ECC功能的18片顆粒的記憶體條實際容量按16乘。在購買時也可以據此判定18片或者9片記憶體顆粒貼片的記憶體條是ECC記憶體。

Hynix(Hyundai)現代

現代記憶體的含義:
HY5DV641622AT-36
HY XX X XX XX XX X X X X X XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1、HY代表是現代的產品
2、記憶體晶片類型:(57=SDRAM,5D=DDR SDRAM);
3、工作電壓:空白=5V,V=3.3V,U=2.5V
4、晶片容量和刷新速率:16=16Mbits、4K Ref;64=64Mbits、8K Ref;65=64Mbits、4K Ref;128=128Mbits、8K Ref;129=128Mbits、4K Ref;256=256Mbits、16K Ref;257=256Mbits、8K Ref
5、代表晶片輸出的數據位寬:40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位
6、BANK數量:1、2、3分別代表2個、4個和8個Bank,是2的冪次關係
7、I/O界面:1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2
8、晶片核心版本:可以為空白或A、B、C、D等字母,越往後代表核心越新
9、代表功耗:L=低功耗晶片,空白=普通晶片
10、記憶體晶片封裝形式:JC=400mil SOJ,TC=400mil TSOP-Ⅱ,TD=13mm TSOP-Ⅱ,TG=16mm TSOP-Ⅱ
11、工作速度:55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L DR200、H DR266B、 K DR266A

Infineon(億恆)

億恆簡介

Infineon是德國西門子的一個分公司,目前國內市場上西門子的子公司Infineon生產的記憶體顆粒只有兩種容量:容量為128Mbits的顆粒和容量為256Mbits的顆粒。編號中詳細列出了其記憶體的容量、數據寬度。Infineon的記憶體佇列組織管理模式都是每個顆粒由4個Bank組成。所以其記憶體顆粒型號比較少,辨別也是最容易的。

容量標示

HYB39S128400即128MB/ 4bits,“128”標識的是該顆粒的容量,後三位標識的是該記憶體數據寬度。其它也是如此,如:HYB39S128800即128MB/8bits;HYB39S128160即128MB/16bits;HYB39S256800即256MB/8bits。
Infineon記憶體顆粒工作速率的表示方法是在其型號最後加一短線,然後標上工作速率。
-7.5——表示該記憶體的工作頻率是133MHz;
-8——表示該記憶體的工作頻率是100MHz。
例如:
1條Kingston的記憶體條,採用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的記憶體顆粒生產。其容量計算為: 128Mbits(兆數位)×16片/8=256MB(兆位元組)。
1條Ramaxel的記憶體條,採用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的記憶體顆粒生產。其容量計算為: 128Mbits(兆數位) × 8 片/8=128MB(兆位元組)。

KINGMAX記憶體的說明

簡介

Kingmax記憶體都是採用TinyBGA封裝(Tiny ball grid array)。並且該封裝模式是專利產品,所以我們看到採用Kingmax顆粒製作的記憶體條全是該廠自己生產。Kingmax記憶體顆粒有兩種容量:64Mbits和128Mbits。在此可以將每種容量系列的記憶體顆粒型號列表出來。

容量備註

KSVA44T4A0A——64Mbits,16M地址空間 × 4位數據寬度;
KSV884T4A0A——64Mbits,8M地址空間 × 8位數據寬度;
KSV244T4XXX——128Mbits,32M地址空間 × 4位數據寬度;
KSV684T4XXX——128Mbits,16M地址空間 × 8位數據寬度;
KSV864T4XXX——128Mbits,8M 地址空間 × 16位數據寬度。
Kingmax記憶體的工作速率有四種狀態,是在型號後用短線符號隔開標識記憶體的工作速率:
-7A——PC133 /CL=2;
-7——PC133 /CL=3;
-8A——PC100/ CL=2;
-8——PC100 /CL=3。
例如一條Kingmax記憶體條,採用16片KSV884T4A0A-7A 的記憶體顆粒製造,其容量計算為: 64Mbits(兆數位)×16片/8=128MB(兆位元組)。

Micron(美光)

以MT48LC16M8A2TG-75這個編號來說明美光記憶體的編碼規則。
含義:
MT——Micron的廠商名稱。
48——記憶體的類型。48代表SDRAM;46 代表DDR。
LC——供電電壓。LC代表3V;C 代表5V;V 代表2.5V。
16M8——記憶體顆粒容量為128Mbits,計算方法是:16M(地址)×8位數據寬度。
A2——記憶體核心版本號。
TG——封裝方式,TG即TSOP封裝。
-75——記憶體工作速率,-75即133MHz;-65即150MHz。
實例:一條Micron DDR記憶體條,採用18片編號為MT46V32M4-75的顆粒製造。該記憶體支持ECC功能。所以每個Bank是奇數片記憶體顆粒。
其容量計算為:容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB(兆位元組)。

Winbond(華邦)

含義說明:
記憶體編碼含義
A欄位由W組成,代表華邦(Winbond)記憶體晶片的前綴。
B欄位表示產品類型。98代表SDRAM記憶體94代表DDR SDRAM記憶體。
C欄位表示記憶體晶片的容量。16代表16Mbit(2MB)32代表32Mbit(4MB)64代表64Mbit(8MB)12代表128Mbit(16MB)25代表256Mbit(32MB)。要計算記憶體條的總容量,只需將記憶體晶片的容量乘上記憶體晶片的數量即可。 D欄位表示記憶體結構。08代表*816或G6代表*1632或G2代表*32。
E欄位表示記憶體晶片的修正版本。A代表第1版B代表第2版C代表第3版D代表第4版。
F欄位表示記憶體晶片的封裝方式。B代表60balls BGA、90balls BGA或144-Ball LF BGA封裝D代表100-Pin LQFP封裝H代表50-Pin 400mil TSOP、66-Pin 400mil TSOP或86-Pin 400mil TSOP封裝。
G欄位表示記憶體晶片的速度標識。對於SDRAM而言:-5代表200MHz(CL=3)-6代表166MHz(CL=3)-7代表143MHz(CL=3)或PC133(CL=2)-75代表PC133(CL=3)-8H代表PC100(CL=2)。對於DDR SDRAM而言:-4代表250MHz(CL=3/4)-5代表DDR400(CL=2.5)-5H代表200MHz(CL=3)-55代表183MHz(CL=3)-6代表DDR333(CL=2.5)-7代表143MHz(CL=2.5)或DDR266(CL=2)-75代表DDR266(CL=2.5)。
H欄位表示工作溫度類型(此欄位也可空白)。空白或L代表正常溫度(0℃~70℃),I代表工業溫度(-40℃~85℃)或擴大溫度(-25℃~85℃)。

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