記憶體參數

記憶體條以前有256MB、512MB、1G、2G等容量級別，其中8G記憶體已成為當前的主流配置，也有16G的記憶體條，記憶體條晶片的存取時間是記憶體的另一個重要指標，其單位以納秒（ns）表示。

基本介紹

• 中文名：記憶體參數
• 容量級別：8MB、16MB、32MB等
• 重要指標：存取時間
• 單位：納秒（ns）

技術指標

關於記憶體人們普遍關心的各種技術指標，一般包括引腳數、容量、速度、奇偶校驗等。記憶體條有無奇偶校驗位是人們常常忽視的問題，奇偶校驗對於保證數據的正確讀寫起到很關鍵的作用，尤其是在進行數據量非常大的計算中。標準型的記憶體條有的有校驗位，有的沒有；非標準的記憶體條均有奇偶校驗位。

性能評估

對於SDRAM，我們必須通過至少3個參數來評估其性能的好壞。

（1）系統時鐘循環周期---他表示了SDRAM能運行的最大頻率。譬如：一塊系統時鐘頻率為10ns的SDRAM的晶片，他可以運行在100MHz的頻率下。絕大多數的SDRAM晶片能達到這個要求。顯然，這個數字越小，SDRAM晶片所能運行的頻率就越高。對於現代（Hyundai）PC-100 SDRAM，它的晶片上所刻的-10代表了其運行的時鐘周期為10ns，他可以跑100MHz的外頻。根據現代的產品數據表我們可以知道這種晶片的存取數據的時間（以下會講到該指標）為6ns。

（2）存取時間---類似於EDO/FPM DRAM，他代表了讀取數據所延遲的時間。絕大多數SDRAM晶片的存取時間為6，7，8或10ns。可是千萬不要和系統時鐘頻率所混淆。許多人都把存取時間當作這塊SDRAM晶片所能跑的外頻。對於高士達（Goldstar）PC-100 SDRAM，它的晶片上所刻的-7代表了其存取時間為7ns。然而他的系統時鐘頻率仍然為10ns，外頻為100MHz。

（3）CAS(縱向地址脈衝)反應時間---CAS的延遲時間。某些SDRAM能夠運行在CAS Latency(CL)2或3模式。也就是說他們讀取數據所延遲的時間既可以是二個時鐘周期也可以是三個時鐘周期。我們可以把這個性能寫入SDRAM的EEPROM中，這樣PC的BIOS會檢查此項內容，並且以CL=2模式這一較快的速度運行。

性能指標

然而，以上三個性能指標是互相制約的。換句話說，當你有較快的存取時間，你就必須犧牲CAS latency的性能。因此，評估和比較SDRAM的性能時，我們必須綜合考慮以上三個指標不能僅從晶片上所刻的-6，-7，-8或-10來評價。

時鐘周期

也就是一旦晶片廠商稱其產品為PC-100。其晶片符合PC-100的標準。那么-6，-7，-10就只是一個符號。並不說明-6比-7快。因此，三星（SAMSUNG）為了防止人們的誤解，不再用這個數據代表存取時間，而用字母表示存取時間。

舉例

下面是一個評估SDRAM性能的簡單例子。

對於100MHz的系統來說，一個系統時鐘周期為10ns。

粗略的計算一下：讀取數據的總延遲時間=CAS Latency 延遲 + 存取時間。

例如：Hyundai PC-100 SDRAM，存取時間為8ns，CL2模式。因此，總的延遲時間為 =2 x 周期 + 存取時間 =2 x 10 ns + 8 ns = 28 ns

如果SDRAM運行在CL3模式下，存取時間為6ns。這樣，總的時間延遲為 =3 x 10 ns + 6 ns = 36 ns

顯然，當SDRAM運行在CL2模式下，其速度完全快於CL3模式。

記憶體的選購

市場上常見的SDRAM品牌有現代、三星、LG、NEC、東芝、西門子、TI(德州儀器)等等。購買時應注意觀察晶片表面印字是否清晰，標稱速度為多少以及產地。需要特別說明的是上面所說的品牌僅僅是指記憶體晶片，而不是整個記憶體條，將記憶體晶片封裝在電路板上製成記憶體條的工作是由其他廠商完成的。例如著名的美國金仕頓記憶體只是封裝其他廠商的優質記憶體晶片製成的，它本身並不生產記憶體晶片。所以，即使採用同一品牌晶片的記憶體條，由於封裝廠商不一，質量也會存在很大差異，這可以從電路板的工藝上看出。好的電路板，外觀看上去顏色均勻、表面光滑、邊緣整齊無毛邊，採用六層板結構且手感較重。主流的LGS記憶體已經被HY記憶體取代，雖然牌子換了，但是東西還是一樣的，常見的型號是GM72V66841ET7J，是8×8的顆粒。記得買的記憶體顆粒型號是GM72V66841CT7J，和的記憶體一樣。市場上的PC-133條子的CAS參數基本上都是3，想買真正CAS參數為2的PC133記憶體條還要等一段時間。KINGMAX記憶體和樵風）的金條也是不錯的選擇，是那種記憶體都採用專利的封裝技術，所以不會碰到假貨。

性能參數

記憶體的性能參數：容量、頻率、延遲值