基本介紹
- 中文名：西爾斯比效應
- 外文名：Silsbee effect
簡介,導線中的西爾斯比效應,參見,
簡介
西爾斯比效應（英語：Silsbee effect），或西爾斯比定則（Silsbee rule），是弗朗西斯·B·西爾斯比（Francis B. Silsbee）在1916年發表的一個關於超導的結論：對於第一類超導體，超導臨界電流在超導體表面產生的磁場強度等於超導臨界磁場。大於臨界值的磁場會破壞超導態；大於臨界值的電流也會破壞超導體的超導狀態。臨界電流的大小取決於材料的種類以及幾何形狀（對於截面半徑為1毫米的導線，臨界電流可達100安培）。
導線中的西爾斯比效應
邁斯納效應效應的研究中發現，對超導體施加過強的磁場會破壞超導態；能夠施加的最大磁場被稱作超導臨界磁場
。實驗中測得超導臨界磁場與溫度有如下關係：
根據西爾斯比定則，臨界磁場的大小等於臨界電流所產生的磁場大小，即
（安培定律）。因此，導線截面的臨界半徑為
若電流為定值，升溫會導致臨界半徑也隨之增大，需要截面半徑更大的導線維持超導狀態。
CGS制下的臨界電流密度可以表示為：
