複合電阻薄膜是指由多種不同薄膜疊合構成的電阻薄膜。
基本介紹
- 中文名:複合電阻薄膜
- 外文名:composite resistance film
- 學科:材料技術
- 領域:工程技術
複合電阻薄膜是指由多種不同薄膜疊合構成的電阻薄膜。
複合電阻薄膜是指由多種不同薄膜疊合構成的電阻薄膜。簡介複合電阻薄膜是指由多種不同薄膜疊合構成的電阻薄膜。作用這種薄膜可克服單層高阻或低阻薄膜的電阻溫度係數大,穩定性差的缺點。原理複合電阻薄膜利用複合膜間的TCR可以相互補...
現在常見的層狀複合電阻薄膜多為三層結構,底層(界面層)為使薄膜與基片匹配,並強化其附著,中層是電阻薄膜主體層,上層(表面層)為防潮、耐熱等保護層。除了這些目的以外,有時還為了調整或改善薄膜的電性能,也採用層狀結構。例如,為了降低電阻率溫度係數的絕對值,可使電阻薄膜的下層電阻率 ρ大,TCR 為負值...
鉭矽薄膜電阻與Ta₂N膜電阻相比,除電阻率和電阻溫度係數相近似外,其電阻穩定性有較大的提高,這對製造精度高、高穩定的精密電阻是非常重要的。鉭矽電阻薄膜晶粒很小,表面平整,Ti、Si原子在膜中均勻分布。製備 簡介 鉭矽薄膜通常用反應濺射和共濺射方法製備,也有用燒結的合金為靶,進行陰極濺射製備,但這種...
鉻矽電阻薄膜是指一種常用的高阻薄膜材料。具有電阻率高、穩定性好、電阻溫度係數小等特點。簡介 鉻矽電阻薄膜是指一種常用的高阻薄膜材料。特點 其特點是電阻率高、穩定性好、電阻溫度係數較小。其他 Cr和Si可以生成多種矽化物如Cr3Si , Cr5Si3, , CrSi , CrSi2等,鉻矽電阻薄膜的性能與製備工藝、膜的...
薄膜精密電阻器是用類蒸發的方法將一定電阻率材料蒸鍍於絕緣材料表面製成,一般這類電阻常用的絕緣材料是陶瓷基板。電阻區別 薄膜電阻和厚膜電阻的最大區別是:一、膜的厚度的區別,厚膜電阻的膜厚一般大於10μm,薄膜的膜厚小於10μm,大多處於小於1μm;二、製造工藝的區別,厚膜電阻一般採用絲網印刷工藝,薄膜...
金屬陶瓷電阻薄膜是指由金屬和氧化物絕緣體混合所構成的薄膜。特點 其主要特點是電阻率高、耐高溫。材料 主要的材料有:(1)Cr-SiO薄膜,是一種高阻薄膜,其方阻為500 ~3kΩ/口,電阻溫度係數小於100ppm/ C'。可用蒸發或濺射法製備。蒸發所用原料為高純(99. 99%)鉻粉和SiO粉混合物。反應濺射法所用原料為...
氮化物電阻薄膜是指氮化物電阻薄膜是由稀有金屬及其合金氮化物所組成的薄膜材料。分類 其類型主要有:(1)氮化鈦薄膜,可用反應蒸發、反應濺射、CVD等方法形成TiN電阻薄膜,TiN電阻膜的性能類似Ta2N,但鈦的價格較擔低;(2)氮化鋯薄膜,它是一種耐溫高阻薄膜,主要用於熱印電阻器;(3)鈮鉭和鈮鉭氮薄膜,這種薄膜...
在薄膜電路中主要有四種薄膜:導電、電阻、介質和絕緣薄膜。導電薄膜用作互連線、焊接區和電容器極板。電阻薄膜形成各種微型電阻。介質薄膜是各種微型電容器的介質層。絕緣薄膜用作交叉導體的絕緣和薄膜電路的保護層。各種薄膜的作用不同,所以對它們的要求和使用的材料也不相同。對導電薄膜的要求除了經濟性能外,主要是...
連續金屬薄膜的電阻率為聲子、雜質、缺陷、晶界和表面對電子散射所產生的電阻率之和。材料分類 薄膜導體材料分為兩類:單元素薄膜和複合薄膜。前者系指用單一金屬形成的薄膜導體,其主要材料是鋁膜;後者系指不同的金屬膜構成的薄膜導體:有二元系統(如鉻金)、三元系統(如鈦-鈀-金)、四元系統(如鈦-銅-鎳-金)...
裝配式薄膜鉑熱電阻通常用來和顯示儀表等配套,以直接測量各種生產過程中-79℃~600℃範圍內液體,蒸汽和氣體介質及固定表面等溫度。產品簡介 工業用薄膜鉑熱電阻作為新一代的溫度測量和調節感測器,通常用來和顯示儀表等配套,以直接測量各種生產過程中-79℃~600℃範圍內液體,蒸汽和氣體介質及固定表面等溫度。裝配式...
鉭鋁電阻薄膜 鉭鋁電阻薄膜,鉭和鋁組成的合金薄膜。具有耐蝕性好、精度高、穩定性好和方阻可調範圍寬的特點。tantalum aluminium resistance film TCR為(-105~-135)×10-6/℃,方阻為25~1000Ω。採用濺射法工藝制膜。用於製作薄膜電阻元件。
鉑薄膜技術溫度感測器。根據不同使用範圍,感測器分為四組主要類型,用於超低溫測量(始於 -196 °C),低溫測量(到 +400 °C),中溫測量(到 +600 °C)及高溫測量(到 +1000°C)。為100, 200, 500, 1000 和 10000 Ohm的電阻值可供使用。 原材料的化學穩定性,經檢測的純淨度和均勻度為獲得長期穩定性和在數...
薄膜鉑熱電阻為新一代的溫度測量和調節感測器,通常用來和顯示儀表等配套,以直接測量各種生產過程中-79℃~600℃範圍內液體,蒸汽和氣體介質及固定表面等溫度。產品簡介 工業用薄膜鉑熱電阻作為新一代的溫度測量和調節感測器,通常用來和顯示儀表等配套,以直接測量各種生產過程中-79℃~600℃範圍內液體,蒸汽和氣體...
薄膜電阻材料 薄膜電阻材料是2011年公布的材料科學技術名詞。定義 採用真空蒸鍍、直流或交流濺射、化學沉積等方法製成的厚度一般在0.5~11m以下的膜式電阻材料。有Ni-Co系、Ta系、Si系、金屬陶瓷系電阻膜以及Au-Cr、Ni-P等電阻薄膜。出處 《材料科學技術名詞》。
最近幾年來國內外的研究者分別在低溫製備的設備、工藝、薄膜的表面改性、多層膜系的設計和製備工藝方面進行了深入的研究。例如,Wu Wen-Fa等利用R.F磁控濺射工藝在不加熱的聚碳酸酯(PC)襯底上製備了厚度為250nm,電阻率為6× ~2(Ω·cm),透過率為74%~90%;Park Sung Kyu等利用R.F磁控濺射工藝在低溫...
為解決器件的尺度極限效應,本項目將以Fe/Co納米顆粒和非晶碳組成的複合薄膜體系為主要研究對象,重點分析複合材料的電致電阻效應,包括給定外場條件下組變係數隨鐵磁納米粒子的尺寸、形狀和體積百分比的變化,特定材料體系的電阻變化的大小與溫度、電場和磁場之間的關係;揭示引起複合材料電阻變化的微觀機制;對金屬電...
這個機理提供了在10-4Ω.cm數量級的低薄膜電阻率,所以ITO薄膜具有半導體的導電性能。ITO是一種寬能帶薄膜材料,其帶隙為3.5-4.3ev。紫外光區產生禁帶的勵起吸收閾值為3.75ev,相當於330nm的波長,因此紫外光區ITO薄膜的光穿透率極低。同時近紅外區由於載流子的電漿振動現象而產生反射,所以近紅外區ITO薄膜...
德國進口UST鉑熱電阻,鉑金鉑熱電阻德國進口UST薄膜鉑熱電阻晶片鉑金薄膜鉑熱電阻晶片是一個劃時代溫度感測器發展的產物。採用最先進高科技方法,像雷射噴鍍,顯微照相和平版印刷光刻技術。而電阻值則以數字修整方式作出微調,因而能提供最精確的電阻值 技術性能 產品性能符合IEC751-1995和JIS1604有關標準, 溫度係數...
真空鍍鋁薄膜是真空蒸鍍金屬薄膜的一種,它是在高真空(10mba以上)條件下,以電阻、高頻或電子束加熱使鋁熔融氣化,在薄膜基材的表面附著而形成複合薄膜的一種工藝,在塑膠薄膜或紙張表面鍍上一層極薄的金屬鋁即成為鍍鋁薄膜或鍍鋁紙。產品特點 用於包裝上的真空鍍鋁薄膜具有以下特點:(1)和鋁箔相比大大減少了鋁的...
鉭基電阻薄膜是以鉭為基體元素組成的化合物或合金電阻薄膜。中文名稱 鉭基電阻薄膜 定 義 以鉭為基體元素組成的化合物或合金電阻薄膜。包括氮化鉭中、低電阻薄膜,鉭矽耐高溫高電阻薄膜及高穩定性的鉭鋁電阻薄膜等。套用學科 材料科學技術(一級學科),金屬材料(二級學科),有色金屬材料(三級學科),高熔點...
將獲得能夠利用電場直接寫入信息數據,利用磁電阻的變化讀取信息的電寫/磁讀式磁電存儲器單元。國內外未見報導。結題摘要 本項目在綜合分析存儲器件發展現狀的基礎上,按照項目的研究目標,製備x[Ba(Zr0.2Ti0.8)O3] –(1-x)(Ba0.7Ca0.3TiO3)[xBZT-(1-x)BCT]鐵電薄膜並進行工藝最佳化。設計且製備...
選擇性好、回響快、穩定性好的共軛導電聚合物/碳納米管複合薄膜電阻型氣體感測器。本研究將為共軛導電聚合物與碳納米管複合提供有效的方法,為設計具有高的靈敏度和選擇性,回響快、穩定性好的氣體複合膜敏感材料提供理論依據,同時也為擴展共軛導電聚合物和碳納米管在氣體感測器方面的套用提供有益的嘗試。
陽極氧化法可以形成介質膜,並能調整電阻膜的阻值。在製造分布參數微波混合積體電路時,用電鍍法增加薄膜微帶線的厚度,以減少功耗。薄膜材料 在薄膜電路中主要有四種薄膜:導電、電阻、介質和絕緣薄膜。導電薄膜用作互連線、焊接區和電容器極板。電阻薄膜形成各種微型電阻。介質薄膜是各種微型電容器的介質層。絕緣薄膜...
通過全外延SRO/BFO複合薄膜的生長,減少了器件結構中缺陷的引入,從而成功製備出鐵電極化調製的FeRRAM器件,其開關比達到10000。此外,針對阻變效應中鐵電極化表征困難的問題,提出結合壓電原子力顯微鏡和導電原子力顯微鏡,深入研究鐵電極化反轉與微區電阻狀態的研究方法。這些結果為開發高穩定的FeRRAM提供了實驗依據。