表面量子化（Surface quantization）：
這是指半導體表面反型層（表面溝道）中載流子的能量量子化。在表面反型層中，雖然載流子在平行表面的方向上是自由運動的，但是在垂直表面的方向上卻被限制在很窄的近似為三角形的勢阱之中；當半導體摻雜濃度較高時，該三角形勢阱就將窄而深，其勢阱的寬度即可與德布羅意波長相比較，從而出現量子化現象——能量不連續，反型層中的電子即處在分立的子能帶中，這就是表面量子化。由於這種效應，表面反型層中的載流子電荷重心將往體內有所移動，從而將對MOS 器件的閾值電壓產生一定的影響。
