《表面動態過程及表面能量學的高溫快速STM研究》是季航為項目負責人，北京大學為依託單位的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：表面動態過程及表面能量學的高溫快速STM研究
- 項目類別：青年科學基金項目
- 項目負責人 ：季航
- 依託單位 ：北京大學
- 負責人職稱：教授
- 申請代碼：A2001
- 研究期限：1998-01-01至2000-12-31
- 批准號：19704002
- 支持經費：12(萬元)
項目摘要
利用STM這種具有原子尺度解析度的有力工具，對金屬/半導體系統進行了系統研究，對半導體表面的各種動態過程進行了原子尺度的研究。研究的主要方法是利用快速STM對金屬半導體系統進行表面形貌和能量學的分析和測試。研究結果表明，對矽，鍺半導體表面，除其低指數表面是穩定的以外，某些高指數表面也是穩定的。這對於半導體器件的設計和製造具有指導意義。另外，我們發現許多金屬/半導體系統的穩定表面是由許多小面構成的，即小面化過程，這些亞穩或不穩定 搞指數小面構成了穩定的金屬/半導體表面。根據目前科技發展的動態，我們在課題的研究中增加了納米結構，納米加工和納米器件的研究內容。對實驗設備進行了相應的改造。
