《衝擊電壓下沿半導體表面閃絡現象的研究》是依託西安交通大學，由張冠軍擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：衝擊電壓下沿半導體表面閃絡現象的研究
- 項目類別：青年科學基金項目
- 項目負責人：張冠軍
- 依託單位：西安交通大學
- 負責人職稱：教授
- 申請代碼：E0705
- 研究期限：2002-01-01 至 2004-12-31
- 批准號：50107008
- 支持經費：21（萬元）
中文摘要
研究衝擊電壓下半導體材料在多種電介質中沿面閃絡的光電現象，考察介質環境、電極接觸.方式及半導體的表面態分布對其閃絡特性的影響，探討絲狀載流子注入和二次電子發射與材.料表面帶電特性以及閃絡的起始機理和發展過程的關係，並建立不同條件下半導體沿面閃絡.的物理模型。本項目旨在揭示新的物理現象，也有助於推進半導體器件在強電領域的套用。.
