《華年日拾 : 梁駿吾院士80華誕記懷》是2013年科學出版社出版的圖書，作者是中國科學院半導體研究所。
基本介紹
- 中文名：華年日拾 : 梁駿吾院士80華誕記懷
- 作者：中國科學院半導體研究所
- 出版社：科學出版社
- 出版時間：2013年9月
- ISBN：9787030384447
內容簡介,圖書目錄,
內容簡介
本書梳理和總結了中國工程院院士、物理學家梁駿吾50多年來從事半導體材料和材料物理學科研活動的歷程。主要包括科研成果、學術論文、專利發明、學術報告、獲獎情況和生平年表等內容。
圖書目錄
封面
華年日拾
內容簡介
序
我國新型矽材料的開拓者
INVESTIGATION OF HETEROSTRUCTUREDEFECTS FOR LPE GA1－X ALX AS / GAAS
INVESTIGATION OF N?DOPED FZ SI CRYSTALS
THE INTERACTION BETWEEN IMPURITIES ANDDEFECTS IN SEMICONDUCTORS
BEHAVIORS OF DISLOCATIONS DURING SL’S GROWTHAND CRYSTAL QUALITY ASSESSMENT
THERMODYNAMIC AND FLUID DYNAMIC ANALYSES OFGAAS MOVPE PROCESS
PHOTOLUMINESCENCE SPECTRUM STUDY OF THE GAAS / SI EPILAYERGROWN BY USING A THIN AMORPHOUS SI FILM AS BUFFER LAYER
DISSOCIATED SCREW DISLOCATION WHICH CAN RELIEVE STRAIN ENERGYIN THE EPITAXIAL LAYER OF GESI ON SI（001）
HRTEM STUDY OF DISLOCATIONS IN GESI / SIHETEROSTRUCTURES GROWN BY VPE
KINETICS AND TRANSPORT MODEL FOR THE CHEMICAL VAPOREPITAXY OF GEXSI1－X
THE DEPENDENCE OF GEXSI1－X EPITAXIAL GROWTHON GEH4 FLOW USING CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION
PHYSICAL PROPERTIES AND GROWTH OF SIC?
II?? PHYSICAL PROPERTIES OF SIC
III?? CRYSTAL GROWTH OF SIC
IV?? SUMMARY
STUDY ON PHOTOLUMINESCENCE SPECTRA OF SIC?
RAMAN STUDY ON RESIDUAL STRAINS IN THIN 3C?SICEPITAXIAL LAYERS GROWN ON SI（001）
INVESTIGATION OF {111} A AND{111} B PLANES OF C?GANEPILAYERS GROWN ON GAAS（0 0 1）BY MOCVD
MICROTWINS AND TWIN INCLUSIONS IN THE 3C?SIC EPILAYERS GROWNON SI（001） BY APCVD
DETERMINATION OF STRUCTURE AND POLARITY OF SIC SINGLECRYSTAL BY X?RAY DIFFRACTION TECHNIQUE
IS THIN?FILM SOLAR CELL TECHNOLOGY PROMISING？
OPTICAL AND ELECTRICAL PROPERTIES OF GAN：MG GROWN BY MOCVD?
DEFECT CLUSTER?INDUCED X?RAY DIFFUSE SCATTERING INGAN FILMS GROWN BY MOCVD?
GROWTH OF ALGAN EPITAXIAL FILM WITH HIGH AL CONTENT BYMETALORGANIC CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION
TEMPERATURE DISTRIBUTION IN RIDGE STRUCTURE INGAN LASERDIODES AND ITS INFLUENCE ON DEVICE CHARACTERISTICS
ABATEMENT OF WASTE GASES AND WATER DURING THE PROCESSESOF SEMICONDUCTOR FABRICATION
CONTROL OF ARSENIC POLLUTION FROM WASTE GASES DURINGFABRICATION OF SEMICONDUCTOR
直拉矽單晶碳沾污的研究
LPE GA1－X ALX AS / GAAS 界面缺陷觀察
SI?C 相圖的研究及碳對矽單晶質量的影響
摻氮區熔矽單晶深能級的研究
GE 在GAAS 液相外延中的行為
雜質在矽和砷化鎵中行為
兩性雜質鍺在LPE GAAS 中分凝係數和占位比的計算
半導體（目錄）
水平式矩形矽外延系統的計算機模擬
低壓MOCVD 生長的INGAAS / INP量子阱的光致發光譜線線寬及量子尺寸效應的測量分析
GAAS / SI 外延層X 射線雙晶衍射搖擺曲線的動力學模擬和位錯密度的測量
SIPOS 膜的結構組成
半導體材料與器件生產工藝尾氣中砷、磷、硫的治理及檢測
GESI CVD 系統的流體力學和表面反應動力學模型
MOVPE 生長CA（ CH3 ）3 —ASH3 —H2體系中砷的形態轉化及砷的治理
用固相外延方法製備SI1－X－Y GEX CY 三元材料
興建年產一千噸電子級多晶矽工廠的思考
電子級多晶矽的生產工藝
中國信息產業領域相關重點基礎材料科技發展戰略研究
中國矽材料工業的前景與挑戰
半導體矽片生產形勢的分析
光伏產業面臨多晶矽瓶頸及對策
“ 十五” 期間中國半導體矽材料發展戰略思路和建議
薄膜光伏電池中的材料問題
降低超大規模積體電路用高純水中總有機碳的能量傳遞光化學模型
附錄一
附錄二
附錄三
附錄四
附錄五
後記
封底
