《范一伏里克半磁半導體的電子結構》是依託四川師範大學，由周一陽擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：范一伏里克半磁半導體的電子結構
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：周一陽
- 依託單位：四川師範大學
- 研究期限：1995-01-01 至 1997-12-31
- 批准號：19474037
- 支持經費：5（萬元）
- 申請代碼：A2004
- 負責人職稱：教授
項目摘要
用分子軌道理論推導了3d(4)/3d(6)離子(包括高自旋D(5)和低自旋L3態)在靜電場、晶體場、自旋-軌道、自旋-自旋以及外磁場作用下的哈密頓矩陣，填補了該理論上的空白，對研究該離子光磁性質及與基態分裂相關的其他物理量都有意義。研究了Fe(2+)和Cr(2+)離子在III-V和II-VI半磁半導體中特殊的光和磁性質，發現存在強電荷轉移效應，克服了前人研究的困難，並預測了一些尚未發現的實驗現象。證明了L(3)態對該離子基態分裂、配體自旋-軌道耦合對半導體光和磁性質的重要貢獻，及自旋-自旋作用對基態精細分裂的影響。發表論文有國外著名學刊12篇、國內一級刊物10篇，受到好評，13被SCI和EI檢索，已多次被國內外刊物引用。部分成果獲四川省科技進步二等獎。
