自補償效應（self-compensation effect）
在離子化合物中，尤其是Ⅱ－Ⅵ族化合物半導體（例如ZnO半導體）中，由於非金屬元素的蒸汽壓比較大，在合成和製備晶體時，將產生較大的化學劑量比偏離，容易形成空位、間隙原子、雜質引起的缺陷。這些缺陷的存在直接影響材料的電學性質。
自補償效應（self-compensation effect）
在離子化合物中，尤其是Ⅱ－Ⅵ族化合物半導體（例如ZnO半導體）中，由於非金屬元素的蒸汽壓比較大，在合成和製備晶體時，將產生較大的化學劑量比偏離，容易形成空位、間隙原子、雜質引起的缺陷。這些缺陷的存在直接影響材料的電學性質。當在這些材料中因摻雜增載入流子濃度時，材料中會自發的出現具有相反電荷的缺陷中心，以補償自由載流子。如材料中摻入施主雜質，晶體中就會產生受主性缺陷和它補償；如材料中摻入受主雜質，晶體中就會產生施主性缺陷和它補償，這種現象稱為自補償效應。
參考資料：《固體物理學大辭典》
