自旋流與電荷流的比值被定義為自旋霍爾角,它反映的是電荷流與自旋流之間的轉化效率。自旋軌道作用越強,自旋霍爾角越大。
基本介紹
- 中文名:自旋霍爾角
- 外文名:Holzer spin angle
- 一級學科:工程技術
- 二級學科:自旋電子學
- 定義:自旋流與電荷流的比值
- 作用:反映電荷流與自旋流之間的轉化效
自旋流與電荷流的比值被定義為自旋霍爾角,它反映的是電荷流與自旋流之間的轉化效率。自旋軌道作用越強,自旋霍爾角越大。
自旋流與電荷流的比值被定義為自旋霍爾角,它反映的是電荷流與自旋流之間的轉化效率。自旋軌道作用越強,自旋霍爾角越大。自旋霍爾角定義對於自旋霍爾效應,電荷流密度,自旋流密度、自旋取向之間的關係為:對於逆自旋霍爾效應,則為:其...
自旋霍爾效應是實現自旋流產生與探測的理論依據。由於自旋霍爾角是描述材料內部自旋流與電荷流之間轉化效率的核心參數,所以獲得具有大自旋霍爾角的材料是實現自旋流技術功能化的基礎。但是這一關鍵參數到目前仍無法準確測量。本項目擬採用非...
單晶Au薄膜的自旋霍爾角和自旋擴散長度,澄清了數年以來關於Au薄膜自旋霍爾角大小的爭議;(3)通過對不同厚度準一維Au納米線中反弱局域化效應的研究,確定了Au的自旋擴散長度;(4)使用delta摻雜技術在Cu薄膜中摻入微量的Bi原子,在...
在項目的資助下,我們取得了一系列重要的研究成果:建立了過渡金屬的自旋霍爾角的測量方法,揭示了Alq3分子中自旋流輸運的機制,研究了Pt-磁性絕緣體中磁電阻的起源和特徵,探索了分離型磁滯回線的物理機制。在項目的實施過程中,一共發表...
主要研究結果包括:1、在高質量的單晶Fe(001)薄膜中確立了反常霍爾效應的普適標度關係;2、發展了利用納米尺度 H 型 Hall Bar 結構研究單一非磁金屬層中自旋霍爾效應的新方法,並發現利用摻雜的方法可以實現同時具有大自旋霍爾角和...
製備出了無磁性材料自旋器件,發現探測到可達幾十毫伏的電壓信號,對應於Pt的自旋霍爾角達0.2,與理論預測相一致,說明利用Pt的自旋-軌道耦合可以有效產生自旋流。採用密度泛函理論(DFT)結合非平衡格林函式方法,研究了分子磁體自旋器件的...
利用稀土基強自旋耦合材料Cu1-xTbx對CoFeB自旋霍爾效應進行了有效調製,發現隨著Tb含量的增加,顯著的自旋泵浦效應帶來更大的有效磁阻尼,自旋散射從斜散射機制轉為邊跳機制,自旋霍爾角增大,自旋擴散長度因Tb的散射而減小。在CoFeMnSi...
項目提出將自旋霍爾效應產生的自旋轉矩效應與電壓控制磁各向異性兩種手段結合來實現磁性體中局域性能的改變,構建高能效的電調可重構磁振子晶體器件。項目將通過磁阻尼機制與巨自旋霍爾效應機理的深入研究,掌握增大鐵磁薄膜的有效自旋霍爾角的...