自旋力矩存儲技術是利用“擁有自旋角動量的屬性的電子或其他粒子”的一種技術。其中自旋角動量是兩種量子力學角動量之一，另一種叫做軌道角動量。
自旋力矩存儲技術是利用“擁有自旋角動量的屬性的電子或其他粒子”的一種技術。其中自旋角動量是兩種量子力學角動量之一，另一種叫做軌道角動量。
自旋力矩存儲技術利用穿過磁場的電流來改變電子自旋向上或向下。自旋力矩存儲技術也稱為STT-RAM記憶體技術。STT-RAM有潛力成為一個比flash更高密度、更少成本、更低功耗的非易失性存儲選項。STT-RAM也不是一種像flash這樣的破壞性技術，也沒有flash的抗磨損壽命問題。
但是，就像很多發展中的非易失性存儲技術，如相變記憶體（PCM）、跑道、憶阻器、MRAM、MeRAM和其他的，它還沒有準備就緒。當前的STT-RAM需要過多的電流來調整旋轉。一切都在快速發展著，但此時的它還不是一個商業上可用的技術。
