脈衝真空電弧離子源，也稱為脈衝電漿發生器或脈衝多弧離子源。它可在高真空下(3X10-3Pa以上)，利用真空脈衝電弧放電使陰極材料蒸發並電離，形成純淨的電漿，沉積在基片上之後形成所需膜層。由於在整個工藝過程中只產生純電漿，膜層性能穩定，可在低溫下生成表面光滑細緻且附著力極好的高質量膜層。
基本介紹
- 中文名：脈衝真空電弧離子源
- 別稱：脈衝電漿發生器
- 真空度：5X10-2Pa～以上
- 脈衝頻率： 1—10Hz
用途,主要優點,主要技術指標,
用途
該離子源可用於各類金屬膜、合金膜以及類金剛石薄膜的鍍制。採用脈衝真空電弧離子鍍技術來研製類金剛石薄膜，不需要氫及其它含氫化合物，所以獲得的膜層中不含氫。
主要優點
採用這一新技術鍍制類金剛石薄膜的主要優點有：
(1)膜層性能穩定；
(2)3．4/μm處無吸收峰。
主要技術指標
脈衝真空電弧離子源工作條件及相關參數：
真空度： 5X10-2Pa～以上；
陰極工作電壓： 60～400伏 ；
起弧極工作電壓： 300～800伏；
脈衝頻率： 1—10Hz
