胡艷玲性別女，1974年出生，學位博士。
基本介紹
- 中文名：胡艷玲
- 出生日期：1974年
- 畢業院校：美國加州大學
- 學位/學歷：博士
- 專業方向：高溫合金的設計與表征
- 性別：女
人物簡介,主要研究領域,所獲榮譽,
人物簡介
胡艷玲，1996和1999年獲北京航空航天大學材料科學與工程專業學士學位碩士學位，2009年獲美國康乃狄克大學冶金與材料工程學博士學位。2009-2013年美國加州大學聖芭芭拉大學材料系博士後。
先後從事過金屬腐蝕與防護，高溫合金的設計與表征的研究工作。近年來主要從事半導體器件的生長及結構表征的研究工作。已在《Applied Physics Letters》、 《Scripta Materialia》、《Chemistry of Materials》、《Light: Science & Applications》等國內外學術期刊和國際會議上發表論文30餘篇，其中《SCI》光碟、《EI》光碟收錄20餘篇；獲福建省科技進步二等獎1項。
主要研究領域
[1].外延生長非極性氮化鎵半導體內部位錯及面缺陷表征及控制
[2].氮化鎵基LED, LD, 及太陽能電池量子阱納米生長，結構，及性能表征
[3].鉻基高溫合金的結構設計及高溫氮化性能
所獲榮譽
近年來獲得的主要獎勵：
福建省科技進步二等獎，不鏽鋼表面高耐蝕處理新方法及其在化纖設備防腐中的套用. 2004，6
