背散射電子

背散射電子是被固體樣品中的原子核反彈回來的一部分入射電子。其中包括彈性背散射電子和非彈性背散射電子。 能量很高，有相當部分接近入射電子能量 E 0 ，在試樣中產生的範圍大，像的解析度低。

背散射電子發射係數 η =I B /I 0 隨原子序數增大而增大。 作用體積隨入射束能量增加而增大，但發射係數變化不大。當電子束照射樣品時，入射電子在樣品內遭到衍射時，會改變方向，甚至損失一部分能量(在非彈性散射的情況下)。

基本介紹

• 中文名：背散射電子
• 外文名：back scattered electron
• 分類：彈性，非彈性
• 相關介紹：背散射電子成像

概述

背散射電子（back scattered electron）

當電子束照射樣品時，入射電子在樣品內遭到衍射時，會改變方向，甚至損失一部分能量（在非彈性散射的情況下）。在這種彈性和非彈性散射的過程中，有些入射電子累積散射角超過90度，並將重新從樣品表面逸出。那么背散射電子就是由樣品反射出來的初次電子，其主要特點是：

背散射電子

分類

1、彈性背散射電子。

彈性背散射電子是指被樣品中原子核反彈回來的，散射角大於90°的那些入射電子，其能量沒有損失（或基本沒有損失）。由於入射電子的能量很高，所以彈性背散射電子的能量能達到千到數萬電子伏。

2、非彈性背散射電子。

非彈性背散射電子是入射電子和樣品核外電子撞擊後產生的非彈性散射，不僅方向改變，能量也有不同程度的損失。如果有些電子經多次散射後仍能反彈出樣品表面，這就形成非彈性背散射電子。其能量分布範圍很寬，從數十電子伏到數千電子伏。

相關介紹

背散射電子成像（Back scattered Electron Imaging，簡稱BSE）是依託掃描電鏡的一種電子成像技術，它的成像原理和特點非常適合用來研究那些表皮尚存的各類筆石標本，是二次電子成像(SEM)無法替代的。當前BSE圖象顯示了許多以往其他途徑無法觀察到的筆石微細結構，特別是筆石複雜的始端發育特徵，結果驗證了Psigraptus jacksoni的二分岔式和Rhabdinopora flabelliformis parabola的四分岔式原始分枝的觀點，顯示它們都具有最原始的等。

背散射電子成像的襯度是由於原子序數的不同引起的，所以背散射電子一般用於區別不同的相，用來看金相試樣的不同區。