納米矽薄膜的沉積機理研究

《納米矽薄膜的沉積機理研究》是奚中和為項目負責人，北京大學為依託單位的面上項目。

基本介紹

• 中文名：納米矽薄膜的沉積機理研究
• 項目類別 ：面上項目
• 項目負責人：奚中和
• 依託單位 ：北京大學
• 批准號 ：19574009
• 申請代碼：A2001
• 負責人職稱：教授
• 研究期限：1996-01-01至1998-12-31
• 支持經費：10(萬元) 

項目摘要

本工作研究用PECVD法沉積納米矽薄膜的方法和原理。通過觀測不同放電條件下的沉積特性、電漿參量和薄膜結構的變化關係來分析沉積過程的特徵。在此基礎上探索納米矽的最佳化工藝。在大量結構測量（高分辨電鏡、拉曼譜、紅外譜和可見吸收譜等）的基礎上分析了納米矽薄膜的結構特徵，證明納米矽是一種具有特殊界面的均勻的兩相結構。其PECVD的工藝特徵為高氫稀釋和負偏置。空間過程的特徵為初步反應主導，次級反應抑制，聚合反應可略，其表面過程是一種以速率相近方向相反的生長與刻蝕同時並存為特徵的馳豫性自組裝過程。為了考察這種特殊結構的物性，對材料的量子點效應和壓阻效應也作了實驗觀測和分析。