《納米晶NiZn鐵氧體織構薄膜的低溫合成及套用基礎研究》是依託電子科技大學,由張懷武擔任醒目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：納米晶NiZn鐵氧體織構薄膜的低溫合成及套用基礎研究
- 依託單位：電子科技大學
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：張懷武
- 批准號：69671021
- 申請代碼：F0122
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：1997-01-01 至 1999-12-31
- 支持經費：8（萬元）
項目摘要
為適應微波器件集成化的需要，低溫（T＜1250℃）條件下製備尖晶石薄膜材料的技術受到廣泛的關注。本項目在玻璃基片上分別採用甩塗法和稀溶液成膜法製取鎳鋅鐵氧體薄膜，然後對兩種方法製得的薄膜進行了比較，並討論了緩衝劑在膜生長過程中的作用。成功地利用亞銷酸鹽和空氣氧化Fe(2+)離子到Fe（3+）離子轉變，實現織構型尖晶石NiZn膜的合成。薄膜飽和磁化強度達1200Gs，鐵磁共振線寬小於100○c，晶粒尺寸小於100nm，薄膜具有沿（311）晶面擇優生長的織構。基於NiZn膜研製出微帶Y結型全磁基薄膜環形器，通過工藝反覆探索，尺寸設計及磁場調節，微帶與同軸頭互聯接等實驗，最終證明以此薄膜為基礎的低溫集成器件在工藝上是完全可以實現的。這將對微波集成領域產生較大促進作用。
