《納米尺度半導體器件中熱的產生與輸運問題研究》是依託北京大學，由劉曉彥擔任負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：納米尺度半導體器件中熱的產生與輸運問題研究
- 項目負責人：劉曉彥
- 項目類別：面上項目
- 依託單位：北京大學
- 批准號：60776068
- 申請代碼：F0405
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2008-01-01 至 2008-12-31
- 支持經費：7（萬元）
項目摘要
本課題研究將面向納米尺度下積體電路中的主流器件和未來可望解決體矽CMOS所遇到挑戰的新材料、新結構器件；研究納米尺度下半導體器件中熱產生的機理、模型和準確的模擬方法；研究納米尺度下，半導體器件中聲子的非穩態輸運及相應的熱傳導機制和散熱過程，建立納米尺度下的散熱模型和準確的模擬方法；探索研究器件中聲子輸運對載流子輸運特性的影響，研究納米尺度下器件的熱學特性和電學特性的耦合過程，發展相應的模型和模擬方法；在上述模型和模擬方法的基礎上，研究納米尺度下積體電路中熱管理的方法和策略；研究和評估新材料、新結構器件中的產熱和散熱問題，開展新材料、新結構器件中電學和熱學性能共同最佳化的設計方法研究。為納米尺度積體電路的設計提供工具，為我國積體電路科學技術的可持續發展奠定基礎。
