《精密加工最佳化AlGaN深紫外LED量子阱應變以及偏振特性的研究》是依託武漢理工大學，由龔政擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：精密加工最佳化AlGaN深紫外LED量子阱應變以及偏振特性的研究
- 項目類別：青年科學基金項目
- 項目負責人：龔政
- 依託單位：武漢理工大學
- 批准號：51605358
- 申請代碼：E0509
- 負責人職稱：講師
- 研究期限：2017-01-01 至 2019-12-31
- 支持經費：20（萬元）
項目摘要
AlGaN基深紫外LED具有體積小，能耗低，無污染的特點，在殺菌、醫療、光刻、生化檢測、高密度的信息儲存和保密通訊等領域具有重大套用價值，然而如何提高發光效率仍然是急需解決的關鍵技術難題。在藍寶石襯底上生長的AlGaN基深紫外LED，隨著Al組分增加及波長變短，量子阱內應變會逐漸增強，所發出的光會逐漸從橫電波(TE)向橫磁波(TM)偏轉，出光效率隨之降低。本項目致力於研究用超精密加工的方法最佳化AlGaN基深紫外LED量子阱內應變，從而調整光偏振特性，最終達到提高LED器件出光效率的目的。本項目從建立量子阱內應變場模型出發，研究通過兩種超精密加工的方法改變襯底應變的方式最佳化量子阱內應變，建立其對偏振特性以及出光效率的模型並研究其改變機制。本項目工作處於國際前沿，具有重要的理論意義和實際套用價值。
