章嵩，武漢理工大學材料複合新技術國家重點實驗室研究員、博士生導師，國家級高層次人才（青年項目）。
基本介紹
- 中文名：章嵩
- 職業：教師
個人簡介,教育經歷,工作經歷,研究領域,主持科研項目,最新發表論文,
個人簡介
章嵩，男，工學博士，2010年畢業於武漢理工大學，曾在日本東北大學從事博士後研究工作。現就職於武漢理工大學材料複合新技術國家重點實驗室研究員、博士生導師。主要從事無機薄膜與塗層的設計最佳化、性能評價與工程套用以及相關生產裝備的研發工作。主持科技部國家重點研發計畫、國家自然科學基金、湖北省技術創新專項重大項目、國內外企業委託研發項目等科技與人才項目三十餘項。入選國家級高層次人才（青年項目），獲中國建築材料聯合會·中國矽酸鹽學會科學技術獎基礎研究類一等獎、十三屆中國矽酸鹽學會青年科技獎。在Carbon，Journal of Power Sources，Journal of the American Ceramic Society，Journal of the European ceramic Society，Applied Physics Letters等國際重要學術期刊發表科技論文90餘篇；獲得授權國家發明專利14項。
教育經歷
2000/09-2004/06 武漢理工大學 材料科學與工程 學士
2004/09-2007/06 武漢理工大學 材料學 碩士
2007/09-2010/06 武漢理工大學 材料加工工程 博士
工作經歷
2010/09-2012/10 華中科技大學 電子科學與技術系 博士後
2011/01-2012/10 東北大學（日本） 金屬材料研究所 研究助手
2012/12- 武漢理工大學 新材料研究所 研究員、博士生導師
研究領域
1. 無機薄膜與塗層的生長動力學過程與微觀結構演化控制
2. 第三代半導體（碳化矽等）、超寬禁帶半導體（金剛石等）
3. 新型化學、物理氣相沉積技術與裝備
4. 無機薄膜的高通量製備技術
主持科研項目
1. 企業委託項目，碳化矽晶圓外延單片機熱、流場設計，2021-2023
2. 企業委託項目，工業級化學氣相沉積系統，2020-2024
3. 國家自然科學基金項目（面上基金），連續雷射化學氣相沉積立方碳化矽的顯微結構控制與生長機理研究，2020-2023
4. 國家科技部，國家重點研發計畫-政府間國際科技創新合作重點專項，高取向立方碳化矽塊體快速製備技術合作研究，2019-2022
5. 國家教育部，裝備預研教育部聯合基金，太赫茲雷達用立方碳化矽基板材料的快速製備與結構控制，2019-2020
6. 湖北省科技廳，湖北省技術創新專項重大項目，低成本、長壽命、超硬碳化物塗層製備技術，2019-2021
7. 國家國防科技工業局，基礎科研挑戰專題，多種動態壓縮實驗釩金屬靶的顯微結構控制與研究，2017-2020
8. 國家科技部，國家重點研發計畫-國際合作專項項目，大尺寸碳化矽的雷射化學氣相沉積技術及套用合作研發，2014-2017
9. 國際合作項目，鹵化物化學氣相沉積法製備Ti-Si-C複合材料厚膜成型技術，2015-2018
10. 國家自然科學基金項目（青年基金），基於脈衝雷射沉積富硼 B-C 薄膜的關鍵技術研究，2012-2014
最新發表論文
1. Z. Liu, Y. Cai, R. Tu, Q. Xu, M. Hu, C. Wang, Q. Sun, B. Li, S. Zhang*, C. Wang, T. Goto, L. Zhang, Laser CVD Growth of Graphene/SiC/Si Nano-matrix Heterostructure with Improved Electrochemical Capacitance and Cycle Stability, Carbon N. Y. 175 (2021) 377–386. https://doi.org/10.1016/j.carbon.2021.01.004
2. Q. Sun, R. Tu, Q. Xu, C. Zhang, J. Li, H. Ohmori, M. Kosinova, B. Basu, J. Yan, S. Li, T. Goto, L. Zhang, S. Zhang*, Nanoforest of 3C-SiC/graphene by laser chemical vapor deposition with high electrochemical performance, J. Power Sources. 444 (2020) 227308. https://doi.org/10.1016/j.jpowsour.2019.227308.
3. C. Zhang, Z. Wang, R. Tu, M. Dong, J. Li, M. Yang, Q. Li, J. Shi, H. Li, H. Ohmori, S. Zhang*, L. Zhang, T. Goto, Growth of self-aligned single-crystal vanadium carbide nanosheets with a controllable thickness on a unique staked metal substrate, Appl. Surf. Sci. 499 (2020) 143998-1–5. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2019.143998.
4. Z. Liu, Q. Xu, C. Zhang, Q. Sun, C. Wang, M. Dong, Z. Wang, H. Ohmori, M. Kosinova, T. Goto, R. Tu, S. Zhang*, Applied Surface Science Laser-induced growth of large-area epitaxial graphene with low sheet resistance on 4H-SiC ( 0001 ), Appl. Surf. Sci. 514 (2020) 145938. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2020.145938.
5. C. Zhang, R. Tu, J. Li, M. Yang, Q. Li, J. Shi, H. Li, H. Ohmori, S. Zhang*, L. Zhang, T. Goto, Growth of umbrella-like millimeter-scale single-crystalline graphene on liquid copper, Carbon N. Y. 150 (2019) 356–362. https://doi.org/10.1016/j.carbon.2019.05.013.
6. Q. Sun, M. Yang, J. Li, Q. Xu, R. Tu, Q. Li, S. Zhang*, L. Zhang, T. Goto, H. Ohmori, M. Kosinova, Heteroepitaxial growth of thick 3C-SiC (110) films by Laser CVD, J. Am. Ceram. Soc. 102 (2019) 4480–4491. https://doi.org/10.1111/jace.16297.
7. P. Zhu, M. Yang, Q. Xu, Q. Sun, R. Tu, J. Li, S. Zhang*, Q. Li, L. Zhang, T. Goto, J. Shi, H. Li, H. Ohmori, M. Kosinova, B. Basu, Epitaxial growth of 3C-SiC on Si(111) and (001) by laser CVD, J. Am. Ceram. Soc. 101 (2018) 3850–3856. https://doi.org/10.1111/jace.15557.
8. R. Tu, Y. Liang, C. Zhang, J. Li, S. Zhang*, M. Yang, Q. Li, T. Goto, L. Zhang, J. Shi, H. Li, H. Ohmori, M. Kosinova, B. Basu, Fast synthesis of high-quality large-area graphene by laser CVD, Appl. Surf. Sci. 445 (2018) 204–210. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2018.03.184.
9. T. Zhu, Y. Liang, C. Zhang, Z. Wang, S. Zhang*, A high-throughput synthesis of large-sized single-crystal hexagonal boron nitride on a Cu-Ni, RSC Adv. 10 (2020) 16088–16093. https://doi.org/10.1039/D0RA00734J.
10. Q. Xu, Z. Deng, Q. Sun, R. Tu, S. Zhang*, M. Yang, Q. Li, L. Zhang, T. Goto, H. Ohmori, Electrically conducting graphene/SiC(111) composite coatings by laser chemical vapor deposition, Carbon N. Y. 139 (2018) 76–84. https://doi.org/10.1016/j.carbon.2018.06.038.
11. Q. Xu, P. Zhu, Q. Sun, R. Tu, S. Zhang*, M. Yang, Q. Li, J. Shi, H. Li, L. Zhang, T. Goto, M. Han, J. Yan, S. Li, H. Ohmori, Fast preparation of (111)-oriented β-SiC films without carbon formation by laser chemical vapor deposition from hexamethyldisilane without H2, J. Am. Ceram. Soc. 101 (2018) 1471–1478. https://doi.org/10.1111/jace.15315.
12. C. Zhang, J. Huang, R. Tu, S. Zhang*, M. Yang, Q. Li, J. Shi, H. Li, L. Zhang, T. Goto, H. Ohmori, Transfer-free growth of graphene on Al2O3(0001) using three-step method, Carbon N. Y. 131 (2018) 10–17.
13. Q. Sun, P. Zhu, Q. Xu, R. Tu, S. Zhang*, J. Shi, H. Li, L. Zhang, T. Goto, J. Yan, S. Li, High-speed heteroepitaxial growth of 3C-SiC (111) thick films on Si (110) by laser chemical vapor deposition, J. Am. Ceram. Soc. 101 (2018) 1048–1057. https://doi.org/10.1111/jace.15260.
14. H. Cheng, M. Yang, Y. Lai, M. Hu, Q. Li, R. Tu, S. Zhang*, M. Han, T. Goto, L. Zhang, Transparent highly oriented 3C-SiC bulks by halide laser CVD, J. Eur. Ceram. Soc. 38 (2018) 3057－3063. https://doi.org/10.1016/j.jeurceramsoc.2018.03.015.
15. R. Tu, D. Zheng, H. Cheng, M. Hu, S. Zhang*, M. Han, T. Goto, L. Zhang, Effect of CH4/SiCl4 ratio on the composition and microstructure of <110>-oriented β-SiC bulks by halide CVD, J. Eur. Ceram. Soc. 37 (2017) 1217–1223. https://doi.org/10.1016/j.jeurceramsoc.2016.11.015.
16. Q. Xu, P. Zhu, Q. Sun, R. Tu, M. Yang, S. Zhang*, Elimination of double position domains (DPDs) in epitaxial <111>-3C-SiC on Si(111) by laser CVD, Appl. Surf. Sci. 426 (2017) 662–666. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2017.07.239.
17. C. Zhang, R. Tu, S. Zhang*, J. Huang, T. Gao, M. Yang, Q. Li, J. Shi, L. Zhang, T. Goto, Synthesis of Large Size Uniform Single-Crystalline Trilayer Graphene on Premelting Copper, Carbon N. Y. 122 (2017) 352–360. https://doi.org/10.1016/j.carbon.2017.06.096.
18. H. Cheng, R. Tu, S. Zhang*, M. Han, T. Goto, L. Zhang, Preparation of highly oriented β-SiC bulks by halide laser chemical vapor deposition, J. Eur. Ceram. Soc. 37 (2017) 509–515. https://doi.org/10.1016/j.jeurceramsoc.2016.09.017.
19. P. Zhu, Q. Xu, R. Chen, S. Zhang*, M. Yang, R. Tu, L. Zhang, T. Goto, J. Yan, S. Li, Structural study of beta-SiC (001) films on Si (001) by laser chemical vapor deposition, J. Am. Ceram. Soc. 100 (2017) 1634–1641. https://doi.org/10.1111/jace.14672.
20. R. Tu, D. Zheng, Q. Sun, M. Han, S. Zhang*, Z. Hu, T. Goto, L. Zhang, Ultra-Fast Fabrication of <110>-Oriented β-SiC Wafers by Halide CVD, J. Am. Ceram. Soc. 99 (2016) 84–88. https://doi.org/10.1111/jace.13980.
